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[参考译文] BQ24170：我的电路板可以工作还是会烧坏？

admin
Guru**** 666710 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS565208, CSD17313Q2, CSD25404Q3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/788579/bq24170-will-my-board-work-or-burn

器件型号：BQ24170
主题中讨论的其他器件：TPS5652、 TPS565208、 CSD17313Q2、 CSD25404Q3

您好！


首先，我想澄清，这是我在实现多氯联苯方面的第一次经验。
我是一名计算机工程师。

我有构建机器人的想法。 为此、我决定将我的电路板分成两个。 一个用于逻辑、另一个用于能源管理。
这是我遇到问题的第二个 PCB。

它用作电池3s、转换器 dc-dc ( tps5652) 6V、5V 和3V3的充电器。

我有制作一个具有两层的电路板的约束、但有一个回流烤箱。

我与大家分享我的观点，欢迎大家发表意见和提出建议。

非常感谢您的帮助

e2e.ti.com/.../2019_2D00_03_2D00_16_5F00_12_2D00_09_2D00_44.pdf

www.dropbox.com/.../AABXpZslODSHl0ggSNScQemoa

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Julien、您好！

    我已经查看了您的原理图。 除了 OVPSET 具有电阻器和电容器而不是电阻分压器外、我没有看到任何明显的误差。 我假设您使用 www.ti.com/.../sluc244上的电子表格 来正确调整组件的大小？ 关于您的下拉框、如果我不通过我们的 IT 部门请求特殊访问、我将无法访问它、这可能需要一段时间。

    关于布局、我建议遵循用户指南中所述的 EVM 布局： www.ti.com/.../bq24170evm-610-15v。 任何降压转换器的关键组件都是转换器的输入电容器、即 PVCC 引脚上的电容器。

    此致、
    Jeff
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    e2e.ti.com/.../alim2.zip

    尊敬的 Jeff：

    谢谢、我没有使用过这个电子表格。 很好、我会看一下。
    我上传 zip 文件。 我的路由非常不确定。
    我尝试遵循 EVM 的设计、但无法进行4层电路板

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    TI__Guru**** 666710 points
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    您好、Julien、

    我在将 Eagle 文件读取到 Altium 时遇到问题。 Altium 正在请求一个.LBR 文件。 我在 zip 文件中看不到这样的文件。

    此致、
    Jeff
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    Jeff、
    您需要的.LBR 文件的名称是什么？ 我要添加它。

    此致、
    Julien

    e2e.ti.com/.../lbr.zip

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Julien、

    我不知道。  Altium 要求提供库文件、我假设要提供在 sch 和 brd 文件中使用的符号、封装等。  如果您发送电路板顶部和底部的 PDF、可能会更容易。  

    此致、
    Jeff

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    Jeff、

    这是我的板

    再次感谢你。

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Julien、

    我认为您的电路板烧坏不会那么高效、并且具有电流感应误差。 以最小值增加从电感器到 D2的走线宽度、并将 VBAT 上的 C14、C15、C16移动到更接近 RSR 的位置、以减少高电流纹波。

    如果您使用一个接地平面而不是与0欧姆电阻器连接在一起、我认为您可以更密切地关注 EVM。 这也可能会为散热提供更多的电源焊盘过孔面积。 需要仔细放置阈值设置电阻器接地端和滤波电容器接地端、以便开关电流不会流经其接地端。 例如、您将所有带 PGND 的降压转换器组件(包括 C14、C15、C15)放置在 IC 末端(及下方)、引脚1、2、3和22、23、24、然后将所有其他带 AGND 的组件放置在侧面和其他端(及下方)、如 EVM。 您可以使用电源板过孔进行 AGND 返回、并将电源板连接到 IC 下的 PGND 引脚。

    此致、
    Jeff

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    感谢 Jeff 抽出时间、

    老实说，我并不十分理解你的第二段。 请问您能解释一下吗？

    我跟在你对我的其他发言之后。 我的组件放置危险的原因是我对电子产品缺乏了解。 我想了解更多信息。

    我还移除了 EVM BOM 中标记为"打开"的组件。 还可以吗？

    关于 OVPSET：我遵循 EVM 原理图：

    在我的情况下、R9不应存在。

    谢谢、

    Julien

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    您好、Julien、

    用户指南 BOM 有一个排印错误。 应删除第3列中 R9下的行、以便两行都引用 R9。 构建-002的 R9为37.4k。 需要使用底部电阻器。 R2、R10、R22也是如此。

    关于我的注释、如果您将所有降压转换器开关组件组合在一个区域、连接到一个较大的接地层、然后将阈值设置分组、并在同一接地层的另一个区域中对需要干净模拟接地的滤波器组件进行过滤、 有噪声的开关接地不会影响模拟接地组件。 接地电流将选择返回 IC 接地的最低阻抗路径。 对于降压转换器、需要最靠近 IC 的最重要组件优先：
    REGN 电容
    BTST 电容器
    3A.连接到 PVCC-以实现最低 EMI 的电源输入电容器
    3b. 肖特基二极管导通开关-可实现更高的效率
    输出电容器
    5.电感器(注意-使用多个通孔连接到电感器，但走线越大/越长，EMI 风险越大)。

    此致、
    Jeff
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    Jeff、

    感谢您的耐心等待。
    由于你的发言，我作了许多改动。
    实际上、我读的 BOM 读起来很糟糕。 我认为我纠正了这个问题。

    这是我的新图和新 PCB。 您能告诉我您对新版本的看法吗？

    到目前为止、我尚未接触降压器件。 我还没有将两个基本计划合并。 我主要重新排列了调优组件并将其移走。
    我等待您的建议、以便能够优化 BUCK 部件并按质量完成。 还可以吗？

    e2e.ti.com/.../1374.2019_2D00_03_2D00_16_5F00_12_2D00_09_2D00_44.pdf

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    Jeff

    这是我的最后一个设计。 它仍有3条与它们之间不相关的接地线3. 我想知道你的意见。

    万分感谢、
    Julian

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    您好、Julien、

    对于 C14、C15和 C16、我更喜欢更轻松地将接地返回 PGND1。 您是否可以将它们移动得更近和/或向 GND 添加更多过孔？ 如果您确实移除了 RGND 并有一个接地平面、请注意 C14-16的放置、因为开关接地电流可能会干扰 AGND 组件。

    此致、
    Jeff
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    尊敬的 Jeff：


    根据您的建议、我认为我缩短了 C14、C15和 C1到 PGND1的路径并对其进行了优化。 并对两个质量计划进行分组。 我还尝试遵循最大 设计指南，例如 RSR。 我也加入了我的 Bom。 您能告诉我您是否看到堕胎？

    谢谢、

    如果没有你们，我永远不会这样做。

    Julien

    3. ICSP JP1、JP2、JP3 0114_PH254-203DF118A00V 2X03 3x2 M V h 8、5 mm p2、54 M20-9980346
    3. TPS565208 U1、U2、U3 TPS565208DDCR DDC0006A_N TPS565208DDCR
    3. 47µf μ A COUT1、COUT2、COUT3 C-ECC1206 C1206 电容器、欧洲符号 GRM32EC81C476ME5L
    1 RLF7030T-2R2M5R4 L2 RLF7030T-2R2M5R4
    RLF7030T-2R2M5R4
    		RLF7030T-2R2M5R4
    2. 3.3µH μ A L1、L3 SRN8040TA-3R3年
    3. 22µF μ A Cin、CIN1、CIN2 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号
    GRM21BR61E226ME44L
    1 33.2k RFBT3V3 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 CRCW080533K2FKEB
    1 56.2k RFBT5V R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 CR0805FX-5622ELF
    1 68.1k RFBT6V R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF6812V
    6. 0.1µF μ A CBST、CBST1、CBST2、CINX、CINX1、 CINX2 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号
    GCM188R91E104KA37J
    3. 10k RFFB、RFFB1、RFFB2 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 RK73H2ATTE1002F
    1 0 RAC R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 RCG08050000Z0EA
    2. 0.01. RSR、R2 R-EU_R1206 R1206 电阻器、欧洲符号 WSL1206R0100FEA
    2. 0.047µF μ A C4、C10 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 885012207096
    6. 0.1µF μ A C5、C6、C11、C12、C23 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 885012207072
    2. 1米 R3、R9 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 RCG08051M00FKEA
    1 1.00k R16. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ESR10EZPJ102
    2. 1.0µF μ A C8、C25 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 VJ805Y105KXARW1BC
    1 10. R6. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ESR10EZPJ100
    1 100 R17. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF1000V
    2. 100k R23、R26 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 RK73G2ATTD1003C
    4. 10µF μ A C7、C14、C15、C18 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 C3216X7R1E106KST
    2. 1x2-3.5mm J3、J5 1x2-3.5mm 1x2-3.5mm 3.5mm 端子块 20020327-C021B01LF
    4. 1µF μ A C16、C17、C20、C21 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 GMK212B7105KG-T
    1 2.2µF μ A C2 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 TMK212B7225KG-TR
    1 232k R22 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF2323V
    1 2N7002 问题3. 2N7002 SOT96P240X120-3N N 沟道 MOSFET、2N7002 0.115A 60V 2N7002
    1 3.01M R8. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 CRCW08053M01FKEA
    2. 3.9. RIN1、RIN2 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ESR10EZPJ3R9.
    1 30.1k R18. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF3012V
    2. 32.4k R24、R25 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 CR0805FX-3242ELF
    1 37.4k R1 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF3742V
    2. 4.02k R10、R11 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 CR0805FX-4021ELF
    1 4.99千克 R20. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF4991V
    1 402k R4 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF4023V
    1 4700pF C3 C-EUC0805 C0805 电容器、欧洲符号 885012207090
    2. 499k R5、R7 R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF4993V
    1 5.23公里 R19. R-EU_R0805 R0805 电阻器、欧洲符号 ERJ-6ENF5231V
    1 B220A-13-F D2 B220A-13-F DIOM5226X230N 二极管包括 B220A-13-F、SMT 肖特基二极管、20V 2A、2引脚 DO-214AC B220A-13-F
    1 BAT54C D1 BAT54C SOT23 肖特基二极管 BAT54CLT1G
    1 BQ24170RGYR IC1. BQ24170RGYR RGY (R-PVQFN-N24) 1.6MHz 同步开关模式锂离子和锂聚合物独立电池充电器 BQ24170RGYR
    1 BSS138W-7-F U4. BSS138W-7-F SOT65P210X110-3N N 沟道增强模式 MOSFET BSS138W-7-F
    2. CSD17313Q2 Q1、Q2 CSD17313Q2 CSD17313Q2 MOSFET N 通道30V 5A NexFET SON6德州仪器 CSD17313Q2 N 通道 MOSFET 晶体管、5A、30V、6引脚 SON CSD17313Q2
    1 CSD25404Q3 问题4. CSD25404Q3 DQG_VSON-CLIP 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET CSD25404Q3
    1 IHLP2020CZER3R3M01 L4 IHLP2020CZER3R3M01 INDPM5552X300N Vishay IHLP2020CZ-01系列屏蔽绕线 SMD 电感器3.3uH +/-20% 8.5A IDC IHLP2020CZER3R3M01
    1 LTST-C190GKT LED1 LTST-C190GKT LEDC1608X90N LED、SMD、0603、绿色、6mcd、130deg Lite-On LTST-C190GKT 绿色 LED、569 nm、1608 (0603)、矩形透镜 SMD 封装 LTST-C190GKT

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    Julien、

    我在 BOM 中看不到任何明显的组件错误。 考虑到直流偏置效应、我建议降压转换器的陶瓷电容器额定电压至少比这些电容器上的预期直流电压高1.5倍。

    此致、
    Jeff