[参考译文] UCC27712：在具有串联谐振负载的半桥中驱动高电流期间、栅极发射极上出现尖峰

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/795496/ucc27712-spikes-on-gate-emitter-during-driving-of-high-current-in-a-half-bridge-with-series-resonance-load

器件型号：UCC27712

您好，

我们有一个半桥。半桥的输出馈入串联谐振 LC (其中 L 是110uH 的线圈、C 是0.6uF MKP 电容器)。我们已经放置了大约1.2uS 的死区时间、这对于所使用的 IGBT 来说已经足够了。

当我们以半桥相当大的电流消耗运行时、我在底部 IGBT 栅极上看到这些尖峰。我已经尝试降低栅极驱动电阻并增加电容以减少这些尖峰(我认为这是由于集电极-栅极电容的 dv/dt)。

此处通道1 =低侧 IGBT VGC，通道2 =高侧 IGBT VGC

如果这是由于通过 CGC 进行耦合导致的、米勒钳位隔离式 IGBT 驱动器是否有帮助？

此致、

Tony

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2532890 points

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您好 Tony、

您所描述的更改、即降低栅极电阻和增大电容(我认为这是栅极至发射极电容)、是我建议在 VCE 下降期间降低 VGE 尖峰的更改。这些电压尖峰通常由您提到的 CCG 电容和开关节点上的 dV/dt 引起。另一个重要注意事项是从栅极驱动器输出到 IGBT 栅极的 PWB 布线布局以及 IGBT 发射极到栅极驱动器的接地布线布局。布线长度应较短、以最大限度地减小电路板布线的寄生电感。如果从栅极到发射极之间有一个电容器、请确保电容器非常靠近 IGBT 引脚。

具有米勒钳位功能的栅极驱动器将有助于在电源开关关断期间钳制 VGE、并且仍然允许您对栅极驱动关断电阻进行编程以控制 VGE 下降 dV/dt。栅极驱动关断沿和激活米勒钳位通常会有一些延迟、以允许较低的米勒钳位电阻(或无电阻)。

请告诉我们这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题中发布其他问题。

此致、

Richard Herring

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