This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ77207:我正在构建 UUV、我需要帮助了解如何将该器件与我的设计集成

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77207, BQ7718
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1169732/bq77207-i-am-building-a-uuv-and-i-need-help-understanding-how-to-integrate-this-part-with-my-design

器件型号:BQ77207
主题中讨论的其他器件: BQ7718

我是一名设计 UUV 的学生、不确定如何将 BQ77207与我 的锂聚合物5450 6S 22.2v 电池组集成。 这是我第一次进行电源管理。 数据表、表10-1给出了 Rin、Cin、RVD 和 CVD 的值。 但是、图10-3。 显示了一个高电平有效的6V 选项。 这意味着什么? 我可以使用此配置吗? 我是否可以使用保险丝代替背靠背 FET? 如果使用保险丝、我是否仍需要路由? 如果我确实使用 FET、我如何知道它们的规格? 这是我的项目的正确电池管理 IC 吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Camille、

    回答您的每一个问题:

    •  Rin、Cin、RVD 和 CVD 是什么意思?
    • 什么是高电平有效6V 选项?
      • 这是指 Cout 和 DOUT。  高电平有效意味着当 Cout 或 DOUT 引脚打开时、它们将输出高电压。  在这种情况下、电压为6V。 该6V 电压将施加到与引脚对应的 N-MOSFET 的栅极、从而导通 MOSFET 并熔断保险丝或断开保护 MOSFET。
    • 我是否可以使用保险丝代替背靠背 FET?
      • 您可以使用保险丝或 FET。  这取决于您的系统需求。  
      • 当您想要恢复故障时、应使用 FET。  下面是一个示例:电压变得过高、并触发 OV (过压)故障。  COUT 引脚将输出一个高电平信号(6V)并关闭 NFET、从而打开充电保护 PFET。  这将防止电池组充电并防止电压增加。  OV 故障清除后、COUT 引脚将停止发送高电平信号、充电保护 PFET 将再次关闭、从而允许充电电流流动。
      • 如果您不想恢复故障、应使用保险丝。  一旦保险丝因故障而熔断、您必须更换保险丝、电路才能再次工作。  通常、保险丝用于二级保护。
    • 如果使用保险丝、我是否仍需要路由?
    • 如果我确实使用 FET、我如何知道它们的规格?
      • 如果您想使用 MOSFET、可以在 MOSFET 的数据表中找到有关它们的规格和性能信息。  BQ77207 EVMUG 的原理图显示了 BQ77207的实现方案、其中 BOM 显示了元件。  我将在此处链接 EVMUG: BQ77207EVM 用户指南(TI.com)
    • 这是我的项目的正确电池管理 IC 吗?
      • 我无法为您提供确切答案、因为我不知道您项目的所有细节、但 BQ77207旨在保护高达7S 的电池(38.5V)、 您将使用6S 配置(22.2V)、因此您处于器件的电压规格范围内。   

    最棒的

    Andria

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Andria、您好!

    感谢您的回答。 我有一些跟进。 EVM 用户指南是一个有用的资源、但 Cout 和 Dout 引脚未配置为保险丝或 MOSFET 保护、因此它没有回答我关于 MOSFET 规格的问题。

     QDSG 和 QCHG 的值是多少? 我看到它们是 P-MOSFET、但我应该为它们使用什么器件? 对于 ROFF、RDout、RCout、什么是良好的值? DOUT 和 Cout 上的 NMOSes、它们的值应该是多少?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Camille、

    选择 QDSG 和 QCHG MOSFET 时、您需要考虑 特定系统的负载电流、因此我不能为您推荐任何特定器件。 不过、我建议注意 PFET 的 Rdson。  该规格对于在正常运行期间最大限度地降低 FET 的功率耗散非常重要。

    对于 NFET、我建议您查看此参考设计: bq7718:适用于60V/15-S 工业电池组的堆叠式 bq7718二级保护参考设计。  BQ7718具有与 BQ77207相同的电压输出电平。

    此外、您请求的各种电阻器值都是特定于您的系统需求和所选 FET 的。  您必须进行自己的研究、以了解如何在系统中实现 FET 以及如何选择正确的电阻值。  为了帮助您完成此过程、我建议查看以下文档 :MOSFET 支持和培训工具(修订版 A)(TI.com) 以及此论坛文章: (+)如何选择 MOSFET–基本交叉参考-电源管理-技术文章- TI E2E 支持论坛

    遗憾的是、我无法为您设计系统、因为您请求的许多值都与您的特定系统设计相关、而不是 BQ77207的规格。  祝您在研究和 BMS 实施中一切顺利!

    最棒的

    Andria