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器件型号：TPS650864 主题中讨论的其他器件：TPS544C25、
大家好、团队、
我们对 TPS6508640 + ZU6有疑问。 请提供支持？
VCCINT 和 VCCBRAM 的 μ◆序列
VCCINT 将由"TPS544C25"生成。 我的客户计划使用"6.3 TPS6508640设计和设置"。 在序列图中、"VCCINT"在"VCCBRAM"之后上升。 Zynq ZU6的器件规格建议首先启动"VCCINT"。 我们认为它与建议的序列不同、它是否正确？
◆关于 I/O 电源
对于 Zynq 的 I/O 电源、考虑以下电压。
・PS 侧 I/O 电源"VCCC_PSIO"：+3.3V
PL 侧的・IO 侧电源“VCCC_HDIO”：+ 3.3V“VCCC_HPIO”：+ 1.8V
在数据表"6.3 TPS6508640设计和设置"中、
"VCCO_HDIO"使用"LDOA2"生成"0.7V 至1.5V"。
"VCCO_HPIO"使用"LDOA3"生成"0.7V 至1.5V"。
因为这不符合 IF 的规格
从 BUCK1生成"VCCC_PSIO"和"VCCC_HDIO"
"VCCC_HPIO"被认为是从 BUCK5生成的、
无法满足序列规格。 当 I/O 电压高于上述规格时、您能告诉我建议的电源配置吗？ 它们是否应通过分别插入负载开关等来控制？
◆关于 DDR 存储器的电源
他们计划通过 DDR3L。 请告诉我如何设置 VDDQ：+ 1.35V 和 VTT：0.675V。
(它是 CTL1和 CTL2引脚的设置吗？)
此致、
Satoshi Yone
