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[参考译文] CSD87350Q5D：什么？#39；s 为高侧 FET 输入&lt；4.5V 至 VGS 的副作用

admin
Guru**** 2380860 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/792986/csd87350q5d-what-s-the-side-effect-to-input-4-5v-to-vgs-for-high-side-fet

器件型号：CSD87350Q5D

大家好、

对于 CSD87350、TI 说这针对5V 进行了优化。 这是否意味着驱动器 IC 的 VDD 为5V？

对于某些应用、VDD 为5V。 但有一个由自举二极管引起的压降。  

 如果 VGS 的电压低于4.5V、会对其产生什么副作用？  

下面是一个在 VDRV 上施加5V 电压的示例、但对于高侧 FET、VGS 将<=4.5V。

谢谢

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Shaq、
    感谢您提出问题。 我们在 VGS = 4.5V 时对 RDS (ON)进行规格测试。 当 VGS < 4.5V 时、我们无法保证 RDS (ON)。 在数据表中的图20和21中、您将找到两个 FET 的典型 RDS (on)与 VGS 曲线。 您可以看到曲线的拐点远低于4V。 尽管我们无法保证 RDS (on)@ VGS = 4V、但转换器应正常工作、您可以使用曲线来估算 FET 中增加的传导损耗。 由于 RDS (ON)随 VGS 的下降呈指数级增长、因此我要小心不要在接近曲线拐点的位置(3V 至3.5V 范围内的 VGS)运行。 FET 的阈值也会发生变化、这会使情况更糟。 最后、大多数现代栅极驱动器在自举中使用晶体管(通常为 PFET)、而不是实际的二极管、以最大限度地减小压降并最大限度地提高提供给高侧 FET 的栅极驱动电压。