[参考译文] LM74700-Q1：反向电流阻断阈值

您好、Shunsuke Nagata、

LM74700-Q1控制器将 MOSFET VDS 调节至20mV。 它会根据负载电流不断调整栅极电压、以满足20mV 的要求。
对于更高的负载电流、栅极电压将更高且电流较低(轻负载)、它将是接近 MOSFET 的栅极阈值电压的低电压。

这种线性调节机制可确保零直流反向电流。 但它允许在 LM74700-Q1能够在1us 内做出反应之前提供小瞬态反向电流。 小瞬态反向电流基于 MOSFET 的 Rdson 和反向电流阈值(Vak_rev)-11mV。 对于 Rdson 为2.2m Ω 的 CSD18540Q5B、峰值反向电流-11mV/2.2m = 5A 仅在1us 内可见。 请注意、仅当输入侧发生硬短路时、才会看到此5A 峰值反向电流。 由于线性稳压机制的原因、任何其他慢速转换输入都将导致零反向电流、因为由于转换输入缓慢、LM74700-Q1将有时间做出反应并不断增大 Rdson、最终导致零反向电流。

请参阅数据表第一页的波形"输入短路期间的反向电流阻断"。 这显示了 LM74700-Q1在 LM74700-Q1的输入侧突然出现输入短路时的反向电流阻断行为。 当输入短路时、大反向电流可能会从输出流向输入、而 LM74700-Q1会在1us 内快速响应关断 MOSFET。 用于此测试的 MOSFET 是 DMT6007LFG、具有6m Ω Rdson、-11mV/6m Ω=-1.8A 的反向电流峰值可观察到小于1us。

此致、
Kari。