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[参考译文] bq24600：芯片加热

admin
Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24600

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/791579/bq24600-chip-heating-up

器件型号：bq24600

大家好、我正在使用 BQ24600设计充电器。

输入：24V 4A。

16.8V、2A 时的输出/充电电池。 MOSFET 和充电器 IC 仅在几分钟后变得非常热。

我在设计中是否错过了什么？ 请检查、我已附上设计文件。

注：使用 SIR418而不是 SIR426。 谢谢、

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    TI__Guru**** 2538930 points
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    您好、Kushal、
    我将尽快为您提供布局技巧、并解释 BQ24600高开关频率带来的主要注意事项。
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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kedar、谢谢。

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    TI__Guru**** 2538930 points
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    您好、Kushal、
    IC 上的功耗主要来自 LDO、用于以高频率驱动 FET 的栅极驱动器。 PCB 需要有足够的铜区域来散热。 功率级的功率损耗也需要铜区域进行耗散。 降低输入电压有助于降低充电器 IC 和功率级(MOSFET)开关功率损耗。 我们没有这方面的量化数据、因为结果也与 MOSFET 的栅极电荷相关。 建议在2层电路板上使用4层电路板来帮助散热、因为该充电器具有高1.2MHz 开关频率、这会导致更高的开关损耗。 降低开关损耗的另一种方法是为 HSFET 和 LSFET 使用较低的 Qg FET。
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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kedar、

    我有用于散热的铜区域。 我还有一个 Qg 非常低的 FET。 但让我尝试4层、覆铜区更大、输入电压更低。 这应该会有所帮助。 感谢您的帮助。