[参考译文] TPS65320D-Q1：TPS65320D-Q1

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器件型号：TPS65320D-Q1

我想在器件的输出中获得12V/2A、最小输入电压应该是多少？
空载时空闲状态下的最大泄漏电流是多少。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1133960 points

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Eli、
下面是 TPS65320D-Q1的压降模式说明。理论上、该器件能够实现99%的占空比、并且在输入电压低于所述的压降阈值时、将持续开启降压、刷新时钟周期除外。这意味着、如果您低于压降点、输出将跟踪几十毫伏范围内的输入。它看起来很模糊、因为它取决于时钟频率。在输入电压高于输出设定电压约100mV-300mV (根据时钟频率)的情况下、输出将保持稳定。

7.3.1.4压降模式运行和自举电压(BOOT)
TPS65320D-Q1降压稳压器具有一个集成式启动稳压器、需要一个小型陶瓷电容器
引脚和 SW 引脚之间的引脚、以为高侧 MOSFET 提供栅极驱动电压。启动
当高侧 MOSFET 关断且低侧二极管导通时、电容器会重新充电。它的值
μF 电容器必须为0.1 μ F。 TI 建议使用电介质等级为 X7R 或 X5R 的陶瓷电容器和
由于在温度范围内和过压情况下具有稳定特性、因此额定电压为10V 或更高。
为了改善压降、TPS65320D-Q1降压稳压器的高侧 MOSFET 连续保持7个导通状态
开关周期、在第8个开关周期期间强制关闭、以使低侧二极管导通和
刷新启动电容器上的电荷。由于 BOOT 电容器提供的电流很低、因此是高侧
MOSFET 可在需要刷新启动电容器之前保持导通状态。的有效占空比
在此运行模式下、开关稳压器可通过跳跃模式高于固定频率 PWM 运行模式
开关周期。

在两个电源轨均以2.2Mhz 运行且空闲的情况下、EVM 消耗的电流为2mA。禁用两个电源轨后、我测量的电流为1.6uA。您可以通过在两个电源轨的分压器反馈中使用更高值的电阻器来降低一些空闲电流。 (最大 R1+R2值应小于500K 欧姆)

如果您有任何疑问、请告诉我。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1133960 points

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这是否意味着最大占空比为 (7/8 =87.5%)？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1133960 points

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Eli、
通常、当高侧 MOSFET 关断且低侧二极管导通时、引导电容器会重新充电。当输入电压下降到稳压器100%时间打开高侧 MOSFET 的点时、理论上它在7个周期内为100%、在1个周期内为关闭。表示它在87.5%的时间内打开是不正确的。这将表明高侧 MOSFET 在一个周期的87.5%内处于导通状态。该器件在7个周期内100%开启、在1个周期内关闭。
根据输出电容器的负载和放电情况、压降通常非常接近99%的占空比、并且输出电压通常比输入电压低100mV 至300mV (基于负载和输出电容)。当占空比达到100%(理论上)时、它从7开和1关计时开始。

如果您仍有疑问、请告诉我。

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