[参考译文] UCC28780：UCC28780

您好 Robin、

LMG5200 GaN 半桥的额定电压仅为80V、因此不适合与380V 输入电源轨一起使用。

LMG3410和-3411系列600V GaN 开关中的选择更适合50W 以上功率级别下的 ACF。
硅 MOSFET 也可以在所有功率级别下工作。 GaN 和 Si FET 均可用于实现极高的效率水平。 主要区别在于开关速度：GaN MOSFET 具有较低的输出电容、因此可以在较高的频率下驱动、从而使用较小的变压器实现更高的功率密度。

目前、GaN 器件在高频转换方面具有优势、但比 Si 器件更昂贵。
尽管它们具有速度优势、但它们在较低的功率级别下的使用成本还不是很高。
但是、无论您选择 GaN 还是 Si MOSFET、整体效率都不取决于 MOSFET 的类型、而是取决于整个功率转换级从输入到输出的设计效果。 必须最大程度地降低所有电源路径组件中的损耗、而不仅仅是开关 FET。 与转换器必须在宽输入和输出范围内运行相比、在窄范围运行条件下更易于优化损耗。

此致、
Ulrich

Ulrich
Thnx 很多。
是的、我很难对所有损失进行评价。 此外、我们的电源轨通过非隔离式 PFC (也是谐振、高效率拓扑)调节为380V。

这将关闭开机自检。