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[参考译文] LMG3410R070：具有集成驱动器的 GaN 结构

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070, LMG3410R050, LMG3411R150, LMG5200
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/788847/lmg3410r070-structure-of-gan-with-integrated-driver

器件型号：LMG3410R070
主题中讨论的其他器件： LMG3410R050、 LMG3411R150、 LMG5200

您好！

我目前正在研究 GaN 组件、我看到您有一些具有集成驱动器的 GaN HEMTS 参考。

我想知道您在组件中使用哪种 GaN 结构？ 您是否使用集成式 MOSFET 使 D 模式 GaN 正常关闭(共源共栅结构) 、或者是否使用具有特定驱动器的常开 GaN？ 或其他内容...

参考文献：
LMG3410R070
LMG3410R050
LMG3411R150
LMG5200

感谢您的回答

MB

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 MB：

    TI 使用直接驱动技术直接控制 GaN FET。 它不是共源共栅结构。

    有关此主题的详细公开信息、请参阅我们的数据表。

    感谢您联系 TI。

    此致、

    Masoud