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栅极驱动器的最大工作/开关频率取决于许多因素、包括负载、外部栅极电阻、电源范围、封装类型、换句话说、驱动器的最大功率耗散能力等 打开/关闭功率 FET 需要驱动器从以下公式内部耗散一些功率:P = Qg * VDD * Fsw。 您将注意到、前面提到的所有因素都与驱动器结内耗散的功率成正比。
例如、假设没有栅极电阻并且在室温 Ta = 25C 下运行;您将驱动50nC 的总栅极电荷负载、此时 VDD = 10V 且 Fsw = 24MHz;驱动器将耗散大约 P=10V*50nC*24MHz = 12W。
TJ =(P * RθJA)+ Ta
其中 Tj =结温;RθJA =结至环境热阻;Ta =环境温度=> Tj = 12W*108.1°C/W (SOT-23封装)+ 25C = 1、322.2°C、远高于为此器件指定的建议结温。
为了降低驱动器结、驱动器输出 和功率 FET 之间的外部电阻上的功率耗散、该外部电阻器的优势是减少驱动器封装中与栅极电荷相关的部分功率耗散、并将其共享到外部电阻器中。
但是、对于这种高开关频率、我强烈建议 将 LMG1020 的数据表复制如下。
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此致、
-Mamadou