[参考译文] TLV62130：内部高侧自举电源问题

您好！

我的辐射 EMI 限制很难(20dBuV/m)> 600MHz。 我在具有分立式 MOSFET 的较大电源中使用的缓冲器拓扑也非常有助于 TLV62130 (改进幅度>8dB)。 它的工作原理是、辐射 EMI 的主要来源是上部 FET 的(硬开关)导通。 缓冲器铁氧体磁珠可限制开通时的 di/dt、RC 缓冲器可防止振铃并限制过冲/下冲。 这些器件值运行良好。
(是的、我首先非常仔细地进行 PCB 布局、通过更大限度地减少电流环路等来最大限度地降低辐射 EMI)：





下面是 PVIN 引脚上的波形、交流耦合、2V/div。  请参见红色箭头。 (另一个波形 Ω 一个1M Ω 的缓冲电阻器、该电阻过大)。  

输出为5V/2.5A
最大输入为12.6V
我在17V 输入和3.2A 负载、循环通电的情况下运行了一个板、并且快速测试了可靠性、没有任何问题。

我想知道 PVIN 引脚上的~1、3V 过冲和~3.2V 下冲是否会对 PVIN 和 AVIN 引脚之间连接的某些内部电路产生负面影响。

谢谢。

感谢您解释您的电路。  您是否尝试在 FB8之后将 Avin 和 PVIN 连接在一起的情况下进行测试？  这将消除任何电压差过高的问题。

您好、当然、如果 PVIN 和 AVIN 引脚连接在一起、则不存在电压差(至少在 PCB 上)。 但是、它不符合 EMI 要求。 我提出这一问题的全部原因是，我的缓冲电路和我上面在 PVIN 和 AVIN 之间布置的交流电压是否会损坏任何东西...  

啊、将 Avin 和 PVIN 与缓冲器绑定在一起不会通过 EMI。  我明白了。

否、不建议在这2个电源引脚之间存在如此高的电压差。   

您能告诉我这2个引脚之间的电路是什么、可接受的电压差是多少？

谢谢。

您好 Jason、

我们不会指定此值、因为它对大多数应用程序来说都不是问题。  我们确实需要使用相同的电势/源为 Avin 和 PVIN 供电。

让我与我的同事核实我们是否可以添加任何指导。  我想下周一个关键的人将从假期回来。

您好 Jason、

我仍在检查这一点。  因为明天我们在美国有假期，我计划下周再作答。

您好 Jason、

我们的设计团队确认 Avin 和 PVIN 需要连接在一起。  如果存在超过二极管电势(~0.3V)的结构、则可能会损坏它们。