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[参考译文] BQ25120F3A:控制 LDO 和降压转换器输出电压没有影响

Guru**** 2511415 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25120F3A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1160504/bq25120f3a-controlling-ldo-and-buck-converter-output-voltages-has-no-effect

器件型号:BQ25120F3A

您好!

我们尝试为 BQ 的两个不同输出 LDO 和降压转换器设置输出电压值、但更改寄存器值对电压没有影响。

为了设置电压、我们通过 I2C 向寄存器写入以下值:

writeByte (0xD4、0x06、0b11100000);//将 SYS VOUT 设置为1.8V
writeByte (0xD4、0x07、0b11100100);// LS/LDO 电压设置为0.8V + 2500mV = 3.3V 

在写入操作前后读取寄存器显示寄存器中有正确的值、但输出电压根本不会改变。

至少对于更改 LDO 电压、数据表显示我们必须使用软件和 LSCTRL 引脚禁用 LDO。 但是、在我们的设计中、LSCTRL 被静态拉高。 在不使用 LSCTRL 引脚的情况下、是否有任何方法来改变电压?

此外、为什么我们的 SYS VOUT 3.3V、当它的默认值应为1.8V 时? 由于这种简单的寄存器值写入操作不起作用、我们如何更改它?
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    您好、Jaakko、

    您能否提供实施方案的原理图?

    此致、

    Juan Ospina

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    您好 Juan、

    下面您可以看到相关组件的原理图。 问题是、网络3V3_LDO 和1V8是另一个问题。

    POWER_IN 为5V。

    此致、  

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、

    SYS 电压会直接受寄存器中变化的影响、因此 I2C 事务应足以将 VSYS 从先前的状态更改为1.8V。 此外、VSYS 的此 IC 编号的默认值应为1.8。 这让我相信 VSYS 有可能从某个位置上拉至3.3V。 我有几个问题:

    -在此测试期间、什么是 VBAT、VIN 和/CD?

    -这是他们在评估板或评估板上看到的问题吗?\

    -他们使用什么工具来连接 IC? 最后、它们的 I2C 上拉电阻器是否拉高至 VSYS?

    -VSYS 还可以附加哪些负载?

    关于更改 LS/LDO 状态、正如您提到过的、这需要禁用 I2C 和禁用 LSCTRL。  这个静态上拉的高电平引脚意味着它们将不能改变运行中的 LS/LDO 状态。 不建议禁用 SYS 切换以丢弃 SYS 线路、因为该位主要用于调试、这意味着您可能会失去 I2C 功能、这将阻止您从修改 LDO 寄存器开始。

    此致、

    Juan Ospina

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    您好 Juan、

    感谢您的回复!

    是的、奇怪的是默认值是1.8、但我们的输出是3.3。 我曾认为我们的调试器可能会将电压拉至3.3V、因为1.8V 主电源轨连接到调试器、但在没有连接调试器的情况下电压也是相同的。

    - VIN 4.9V;VBAT 从4.2V...~3.3V 变化。 对此需要注意的一点是:如果 VBAT 变得非常低(低于3.5)、VSYS 也会开始逐渐减小;/CD 连接到 MCU GPIO 引脚。 我们尚未通过编程方式触及它、因此它可能是浮动的。 需要测试对其的控制。

    尤其是我们的板

    -我们通过 MCU 的 I2C 对 IC 进行编程。 I2C 通过10k 电阻器上拉至 VSYS。

    -还有大约5个其他 IC 从 VSYS 汲取电流、所有低功耗芯片都是为可穿戴应用而设计的。 最大的负载是 MCU、消耗的电流最大为20mA。

    我们将尝试通过将其断开并焊接到 MCU GPIO 的连接来访问 PCB 中的 LSCTRL 布线。  

    此致、

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、

    嗯、我们可以在这里做一些测试来获得更好的想法。 首先、最好确保/CD 处于已知状态、以便我现在将其拉高或拉低以进行调试。

    您可以尝试将 SYS 禁用位设置为低电平。 这应停止开关并使用 电阻负载将 SYS 电容漏至0V。 当通过 I2C 将该位设置为低电平时、您能否获取 VSYS 的波形? 虽然 SYS 为3.3V、您能否提供 SW 节点的波形以确认开关正在发生、如果可能、在什么频率下? 如果从 SYS 汲取的电流不多、那么它可能处于 PFM 模式、并且脉冲将很少且相差很远、但我只想确认它正在切换。

    此外,如果 VIN 被移除,并且您处于电池工作模式或高阻态模式,VSYS 会对 VSYS 产生什么影响?

    - SYS 是唯一的电源轨吗? 如果不是、MCU 还是其他 IC 连接到其他电源轨?

    此致、

    Juan Ospina。

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    尊敬的 Juan:

    我在低电平和高电平状态下都尝试了/CD。 由于它有一个内部下拉电阻器、因此在对它进行编程之前它也是低电平。

    我目前无法、但我可以找到一种获取波形的方法。

    -在连接 VIN 的情况下、VSYS 为3.34V。 删除后、VSYS 降至3.2V。 随着 VBAT 降低、VSYS 也会降低。 例如、当前我测量的 VBAT=4.03V、VSYs=3.16V。 此时、VBAT=3.89V、VSYs=3.02V。 连接 VIN 会立即将 VSYS 恢复到3.34V、但在未连接 VIN 的情况下、VSYS 与 VBAT 相关。 我猜这与 IC 的有源电池或高阻态模式有关;在高阻态模式下、VSYS 随着 VBAT 开始降低。

    -SYS 和 LDO 是唯一的电源轨、但 LDO 仅连接到 LED。 MCU 和其他 IC 仅连接到 SYS。

    这有什么帮助吗?

    此致、

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、  

    这有助于消除 SYS 轨可能会从其他一些源过载的可能性、因为这是之前看到的导致 VSYS 卡在3.3V、而 VSYS 本应低得多。  

    BAT 被移除时、SYS 是否保持3.3V 电压、或者 SYS 使能位被清零? 您有多少 IC 看到了这种行为? 如果可能、您能否为相关部分提供电路板布局、并为其他上下文提供寄存器日志。

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    我注意到一些奇怪的情况:在仅电池模式(无 VIN)下、VBAT - VSYS 持续= 0.89V。 如果连接了 VIN、VSYS 为稳定的3.34V

    稳压器以某种方式运行、以便在由电池供电时将电压降低恒定的值。 切换/CD 不会影响这一点、它会始终将电压降低0.89V。

    也注意到了一些不同的东西:软件复位 IC 后、SYS VOUT 控制寄存器读取10100000、这将是1.3V。

    您的问题:VSYS 为3.34V、未将电池焊接到电路板上、且电压源仅为 VIN。 我已经测试了4个不同的板。  

    此致、

    Jaakko Rantala

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    此外、下面是该组件布局的屏幕截图:

    您是说读取 BQ 的所有寄存器值吗?  以下第一组值是复位后的值、第二组值是在设置首选值后设置的值:
    [i]寄存器0:1

    [i]寄存器1:0

    [i]寄存器2:0

    [i]寄存器3:0

    [i]寄存器4:2.

    [i]第5条:16条

    [i]第6条:160条

    [i]第7条:32条

    [i]寄存器8:0

    [i]寄存器9:0

    [i]寄存器10:0

    [i]寄存器11:0

    [i]寄存器0:1

    [i]寄存器1:0

    [i]寄存器2:0

    [i]第3条:60条

    [i]第4条:14.

    [i]第5条:120条

    [i]第6条:224条

    [i]第7条:160条

    [i]寄存器8:0

    [i]寄存器9:0

    [i]寄存器10:0

    [i]寄存器11:0

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    您好、Jaakko、

    这很奇怪、几个寄存器的默认值似乎是关闭的。 例如、REG0x05 BATREG 应该为0x96、而不是您看起来正在读取的0x10。  这与 SYS 控制寄存器相同。 您能否确认 IC 上的器件型号、这只是因为默认值与 BQ25120F3A 不一致。 如果可能、确定这些 IC 的批号?

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    部件正确。 我怀疑导致错误默认值的原因:我们有不兼容的 NTC/TS 电阻器值、这会将芯片置于温度故障状态。 我们必须手动禁用 NTC 功能才能使器件正常工作。  
    我们将尝试焊接新的正确电阻器,但可能无法工作,因为我们使用0201封装。 可能需要等待下一个版本的原型。

    这是否会导致软件无法正常工作? 故障状态被禁用后、可能需要更新一些寄存器?

    此致、

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、

    TS 功能主要仅影响充电、不应影响 SYS 转换器或默认寄存器值。 启用时的电压电平是多少?

    我对 LDO 上的电压很好奇当 VLDO 的默认值为1.6V 时、无论 LSCTRL 如何、您都应该能够通过 I2C 启用它。  

    此致、


    Juan Ospina

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    胡安之夜

    VSYS 为3.3V、TS 启用和禁用。

    VLDO 为1.8V、这是数据表中的默认值。 但是、我们无法将该电压更改为1.8V 以外的任何值

    最好

    Jaakko

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    您好、Jaakko、

    根据您提供的寄存器日志、LDO 应输出1.6V 电压、 十进制值为160的 REG0x07表示已启用的 LDO 为1.6V。 如果您测量的是1.8V、那么这就向我表明了 I2C 线路中可能出现错误、您应该从 该寄存器读回168。

     您能否在读取/写入寄存器0x06和0x07时提供 I2C 事务波形的捕捉?

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    您在这里是正确的。 但即使是160也是错误的、因为我们实际写入了11100100b、即228 (我们需要3.3V)。 168应为默认值。  

    测得的 LDO 输出电压为1.8V。

    这同样有点奇怪、因为所有其他寄存器都有我们写入的值、但寄存器0x07没有。 同一 I2C 线路上的其他 R/W 操作正常工作。

    我必须等待几天才能收到示波器。 然后、我可以提供 I2C 和降压转换器的波形。

    此致、

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、

    由于静态 LSCTRL、这是可以理解的。 由于 LDO 电压只有在通过 I2C 和 LSCTRL 禁用后才能更改、因此写入 LS_LDO 字段不会更改。 您能够更改的唯一位是位7。 由于寄存器值从00100000b 变为10100000b、您只需更改第一个位、这似乎是正在发生的情况。 我感兴趣的是、当它应该是00101000b 时、默认值为00100000b。

    此外、值得注意的是、读取的寄存器值配置为输出1.6V、但 LDO 实际输出1.8V。

    默认寄存器值与应有的值不同、这使我担心 IC 的编程可能会关闭。 在开始该路由之前、我只想验证 I2C 通信是否准确。  

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    我们将验证 I2C 通信、然后我将向您返回结果。 我还将尝试获取降压转换器的波形。

    最棒的

    Jaakko

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    您好、Jaakko、

    此方案是否有任何更新?

    我很好奇电路的其他部分是否可能与电池连接。 一个潜在原因仍然是电池向 SYS 轨反馈。 我需要一个更宽的原理图来查找此内容、但如果您愿意、我们可以通过电子邮件继续进行对话。

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    很抱歉耽误你的回答。  

    我们发现了两个(有点傻)奇怪行为的原因:1V8轨在调试器中连接到3V3线路、而 I2C 网络中还有另一个具有相同 I2C 地址的组件。  

    我们使用硅实验室 WSTK 作为调试器、在其中、Cortex 调试连接器的电压检测引脚出于某种原因连接到电源轨、此外、我们阅读的手册未确认这一点。 I2C 问题只是我们的最后一个问题、我将把它放在不经验上。

    感谢所有的帮助,您真的帮助我更深入地了解了电池管理 IC:)

    此致、

    Jaakko Rantala

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    您好、Jaakko、

    啊,是的,我的怀疑是通过一些未知渠道进行一些反馈,但这总是很难发现的。 作为工程师、我们都在不断改进、这些都是流程的一部分。 我很高兴能在这方面提供帮助!

    此致、

    Juan Ospina