你(们)好
这是关于降压/升压 IC TPS63802、关于输入和输出电容器。
这是设计和布局正在进行中的布局的电容器处置和值、如下所示。
我将在前面展示我们当前使用的电容器、它可以在不产生额外电容器项目的情况下使用。
-电容陶瓷 SMD、47uF、+-20%、10V、0805、 X5R、GRM21BR61A476ME15L (Murata)
-电容陶瓷 SMD、10uF、+-20%、10V、0402、 X5R、CL05A106MP8NUB8 (Samsung)
-电容陶瓷 SMD、4.7uF、+-20%、10V、0402、 X5R、CL05A475MP5NRNC (Samsung)
-电容陶瓷 SMD、1uF、+-10%、25V、0402、 X5R、GRM155R61E105KA12D (Murata)
-陶瓷电容器 SMD、100nF、+-10%、50V、0402、 X7R、低 ESL、C1005X7R1H104K050BB (TDK)
所示。 在输入端、C20和 C22为47uF、C23为10uF、C24为100nF。 在输出端、C25和 C26为47uF、C27为10uF、C34为100nF。
我这样做的原因是、将较小的电容器放置在更靠近输入和更远离输出的位置、因为我的导师说、较小的电容器总是放置在更靠近接收能量的器件的位置。
在这种情况下、Vout 为3.3V、Vin 范围为2.7V 至4.5V。
下面是我使用 TPS63802进行的另一个布局、PCB 尚未生产、我将以类似的方式绘制铜、使用实心多边形进行输入、输出和接地、并在 IC 下方通孔。
这些电路板具有8层、3个接地层、即顶层和底层正下方/上方的一个接地层。
TI 工程师会怎么评论？ 从更高到更低的输入电容、这些组合如何？ 如果可能、我希望找到一种减少排放的方法。
是否最好将47uF 电容器直接连接到靠近输入的位置、移除较小的电容器？
我在以下链接中看到： www.murata.com/.../productdetail
大约47uF、即2MHz 时、其阻抗约为9m Ω。
请访问以下链接： product.tdk.com/.../info
约为100nF、即大约2MHz 时、其阻抗约为880m Ω。
和以下链接中的内容： product.samsungsem.com/.../CL05A106MP8NUB.do
大约10uF、即在2MHz 频率下、其阻抗约为7m Ω。
此致、
Jeferson Pehls。
