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[参考译文] BQ2000T：将 TS 输入配置到 bq2000T 以实现⊿T/⊿t 终端

admin
Guru**** 2539530 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2000T, BQ2000

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/857762/bq2000t-configuring-the-ts-input-to-the-bq2000t-for-t-t-termination

器件型号：BQ2000T
主题中讨论的其他器件： BQ2000

大家好、

在以下链接中、我有关于"PAGE 7配置 bq2000T 的 TS 输入以实现⊿T/⊿t 终端"说明的问题。

我读了它、但我无法理解它的解释。

0.031和1.1125在第7页的公式中代表什么？
什么是 RT2值？
该计算是否会影响 R1/R2值？
本课程首先要解释什么？ 如何选择热敏电阻？

此致、
Kai

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    TI__Guru**** 2539530 points
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    尊敬的 Kai：

      1.125和3.875的值是在上一页(第6页)中得出的。 在5V 电源(0.031值)时、deltaT/deltAT 终止条件对应31mV/min、根据该公式、推导出1.125V 值。 我不知道 RTH2在哪里、但 RTH1是指高温截止电阻。

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    TI__Guru**** 2539530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kedar、


    抱歉、不是 RT2、而是 RT3。

    仍然不清楚...
    我知道您的评论来自第7页、我可以阅读它、但我无法理解该细节。
    通过以下公式、我们可以得到0.031值、在5V VCC 电压(VCC/161)下、这将领先31mV/min。

    31mV/min 是什么意思？
    如果我们在面值处获取该值、则每分钟增加31mV
    起始电压为31mV、起始点为分钟的时间是多久？

    根据以下测试条件(R1/2数据表图11)、0C (Rc=2.449k)时的 TS 电压为0.1496V。
    如果1C 从0C 开始增加、31mV*1=31mV 会增加？ 0.1496V+0.031V=0.1806？

    这是奇数、因为当温度升高时、TS 电压应降低。

    R1=12.4k
    R2=20k
    热敏电阻=102AT
    热敏电阻温度范围= 0~85C
    RC = 2.449k
    RH=0.1751k

    R2||RC=2.182k
    R2||RH=0.1736k

    TS 电压最小值= 0.1736k/(12.4k+0.1736k)= 0.0138
    TS 电压最大值= 2.182k/(12.4k+2.182k)=0.1496

    此外、如何使用1.125值？
    此外、关于以下评论、"在30C 时具有1C/min 传感器的温度范围为0至40C "是什么意思？
    这是否意味着从30C 增加到31C 需要1分钟？
    如果是、我认为0~29C 和32~40C 是怎样的？
    "选择 Semitec 103ET-2等低 β 热敏电阻以及40°C 的截止温度范围可在30°C 时提供0至40°C 的灵敏度、每分钟1°C "

    总之、我无法理解"为⊿T/⊿t 配置 bq2000T 的 TS 输入"解释、因此请用更简单的解释进行解释。

    此致、
    Kai

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    TI__Guru**** 2539530 points
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    尊敬的 Kai：

       镍氢电池的⊿T/⊿t 端接是一种端接条件、在这种情况下、会监控镍氢电池的温度以确定是否充满电。  本质上、对镍氢电池稍稍过度的充电会转换为热量并耗散、这就是为什么 deltaT/deltat (温度变化)是有效的镍氢终端条件的原因。

    假设镍氢电池端接、则选择环境温度范围内的5°C 作为 BQ2000T 的有效温度差值、当 TS 上存在-VCC/161 +/- 25%容差 V/min 变化时、此电阻对应的比率取决于 VCC ie.  ⊿T/⊿t 端接。 (这些值为 EC 规格)对于 V/min、我们将讨论 TS 上的⊿V 而不是 TS 电压增加31mV。 正确的做法是、如果 NTC 温度升高、它将对应于 TS 上的较低电压。

    30C 对应于高于环境温度的5C、因此热敏电阻的灵敏度应相当精确、以确保当 BQ2000T 对 TS 进行采样时、它能够对与端接相对应的31mV Δ 进行采样。  热敏电阻的 β 值表示代表 NTC 热敏电阻电阻与温度之间关系的曲线形状。 40C 对应于截止温度、因此当温度为40C 时、TS 上的电压将对应于 VTCO。 它不是0-29和32-40。

    在快速充电期间、BQ2000T 每8秒对 TS 引脚电压进行一次采样、并将其与之前测得的2次采样值进行比较。  

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    TI__Guru**** 2539530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kendar、

    我有以下其他问题、您能提供帮助吗？

    如果您有任何疑问或不理解的内容、请 告诉我。

    [问题1]
    数据表、应用手册和用户指南中有三个 bq2000T 典型原理图，但每个原理图都有不同的组件/值/连接。
    在下列要求下，建议使用哪种电路？
    -数据表第13页图11。
    -应用手册第9页图12
    －用户指南第5页原理图

    >要求
    输入电压范围：12（～16）V
    充电电流：840mA
    端子电压：8.4V (2s 锂离子电池)、10V (6s 镍氢电池)

    考虑到热量的产生，Q1认为选择 FET 更好，如用户指南中所述。
    这个想法是正确的吗？

    [问题2]
    您能否告诉我高侧 FET 周围外部组件的用途？
    e.g)用户指南中有 D5/Q2/R12/D7/Q3，这些组件如何工作，如何选择这些值？

    [问题3]
    如何选择 Q1 (HS 开关)、L1 (电感)和 C5 (Cout)？

    [问题4]
    根据数据表第11页、充电电流由 Imax=0.05/RSNS 计算得出。
    0.05Ω、使用 Δ Σ_RSNS 时、EVM 中的充电电流为0.83A。
    Imax 应为0.05/0.05=1A、但实际为0.83A。

    您能否告诉我为什么 EVM 中的充电电流不是1A？

    [问题5]
    VSLP 典型值为 VCC-1、因此当 VCC=5V、VSLP=4V 时。
    当我们将 RB1 = 320kΩ Ω 和 RB2 = 100kΩ Ω 设置为8.4V 端子电压(8.4V*100/420=2V_VMCV)时，12VDC_INPUT 的 VBAT 电压(电池不存在)为12V*100/420=2.86V。
    这意味着始终 VBAT < VSLP，因此 bq2000T 不会进入睡眠模式。
    在这种情况下、bq2000T 是否进行电池检测？
    (我认为这是“VMCV <VBAT <VSLP” in the flowchart of data sheet p.4.) ”的例子

    [问题6]
    2s 锂离子端子电压为8.4V、因此6s 镍氢端子电压必须高于8.4V 才能为镍氢充电。
    从数据表第13页的“RB2=RB1/(N-1)”中，选择 RB1=8 320kΩ Ω 和 RB2=8 64kΩ Ω，但 bq2000T 未检测到电池不存在。
    12VDC_INPUT / RB1 = 320kΩ μ A/RB2 = 64kΩ→μ A 要使 VBAT 高于2V、需要高于12V (2 * 384/64)的电池电压。
    在本例中、我们是否需要从64kΩ Ω 增加 RB2值？
    镍氢端子电压至少需要为10V 或更高、因此我认为 RB2值需要设置在10V 至 below12V 的电池电压范围内。

    此致、

    Kai

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    TI__Guru**** 2539530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、

    请注意。

    如果您需要有关上述问题的任何信息、请告诉我。

    此致、

    Kai

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、

    请注意上述问题。

    此致、

    Kai

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai：

     1) 1) EVM 的 BQ2000用户指南是经过充分验证的解决方案、在继续阅读应用手册之前、最好先了解此配置并了解设计注意事项。 应用手册详细介绍了 BQ2000/T 不同应用的外部电路 是的、MOD 引脚驱动 PFET 的栅极、BQ2000可作为异步开关充电器运行  

     2) D7和 Q3为高侧 FET 提供栅极驱动信号、因为它需要将来自 MOD 引脚的信号反相至 Q3的栅极(Q3是 PFET)。   D5/Q2/R12用于实现高侧 FET 的更快关断

    3) 3)如果应用程序与 EVM 运行之间的变化不大、则最好不要进行太大的变化。 电感器的选择取决于占空比、所需的电感器纹波电流、DCR 和开关频率。 有关电感器和输出电容器选择的公式、请参阅本应用手册的第3节和第7节：  

    4) Imax 取决于50mV 的 VSNS 电压(这是获得0.05分子的位置)。 一旦在该引脚上感测到电压<-50mV 规格(充电电流作为 RSNS 上 VSNs 引脚的电压进行感测)、数据表指定了 VSNs 上的+/-10mV 容差、因此理论上您可以预期在800mA 和1200mA IMAX 之间。 这是一个旧器件、因此预计充电电流精度不会像我们的新器件那样高。

    5、6)来自数据表：在混合化学设计中、只要镍基电池组的最大充电电压低于锂离子电池组的最大充电电压、就会使用通用分压器。

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    您好 Kedar、

    关于以下注释、bq2000T 似乎在1000mA (800mA 至1200mA)之间有20%的变化。

    您是否有任何变体数据？

    4) Imax 取决于50mV 的 VSNS 电压(这是获得0.05分子的位置)。 一旦在该引脚上感测到电压<-50mV 规格(充电电流作为 RSNS 上 VSNs 引脚的电压进行感测)、数据表指定了 VSNs 上的+/-10mV 容差、因此理论上您可以预期在800mA 和1200mA IMAX 之间。 这是一个旧器件、因此预计充电电流精度不会像我们的新器件那样高。

    此致、

    Kai

    4) Imax 取决于50mV 的 VSNS 电压(这是获得0.05分子的位置)。 一旦在该引脚上感测到电压<-50mV 规格(充电电流作为 RSNS 上 VSNs 引脚的电压进行感测)、数据表指定了 VSNs 上的+/-10mV 容差、因此理论上您可以预期在800mA 和1200mA IMAX 之间。 这是一个旧器件、因此预计充电电流精度不会像我们的新器件那样高。

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    TI__Guru**** 2539530 points
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    尊敬的 Kai：

      否、我们没有关于此问题的任何变体数据。 同样、此器件是旧器件、可用资源有限。