主题中讨论的其他器件：LM3478、
你好
我最近就在 SEPIC 拓扑中使用 LM3478时的仿真问题与您联系过。 不过、我想在我的设计中使用 LM5155、您为我提供了瞬态模型来仿真电路。
https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/855129/3184699?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=lm3478%20simulation#3184699
同时、我制作了一个评估板、用于测试采用 LM5155的 SEPIC 电路。 我根据 AN-1484进行了计算/尺寸标注。
要求是：
Vin = 5..20V、Vout = 12V、Ioutmax = 5A
计算结果为我提供了：
L1=L2=700nH (耦合)(使用 SRF1280A-R47Y)
您可以看到下面的原理图中使用的其他组件。 我遇到了几个问题，我想与大家分享这些问题，并希望能获得一些改进电路的技巧。 您能看到任何主要尺寸标注错误吗？
问题：
当消耗的 Iout=1A (远低于最大值)时、MOSFET (BSC022N04LSATMA1型)已在大约85°C 的温度下加热。 2分钟 MOSFET 中的功率耗散太高。 根据我在 Iout=1A 时的计算结果、MOSFET 功率耗散应为226mW。 但是、226mW 不应导致元件过热、因此我假设开关损耗高于预期值。 我知道，我板上的 MOSFET 没有作为冷却区域安装在6cm^2铜方上(如 MOSFET 数据表中所述，RthJAmathx=50K/W)。
当然可以选择降低开关频率，但我想了解计算与评估板之间的差异。
测量 MOSFET 的栅极电压时、我观察到越来越陡峭的边沿、但存在栅极振铃。 栅极振铃通常是由栅极环路寄生效应引起的。 但是、我的布局中的栅极环路非常小、从转换器到栅极的连接也很小。 您是否知道该栅极振铃来自何处？ 我还在下面添加了布局。
插入栅极电阻器来抑制振铃没有任何帮助、因为它还会减慢栅极电压的上升速度(而更长的开关时间会导致 MOSFET 中的功率损耗更大)。
您是否知道该栅极振铃来自何处以及如何处理它？
我还测量了 MOSFET 的漏极电压(CH2)和感应电阻器(R10)上的电压。 我假设振荡/噪声来自栅极振铃。
电路仿真没有显示出这种行为、运行得相当好。 请在下面找到该电路。
提前感谢您的任何帮助！
此致、
Martin
