[参考译文] UCC28950：Pmp8740匀场电感器加热

您好、Nidheesh、

它可能有几个方面。

绕组中的功率损耗、测量绕组电阻并计算绕组中的 I^2 * RES 损耗。 请注意、由于趋肤效应和接近效应、交流电阻会更高。 但它将为您提供良好的初步估算。

2.磁芯损耗，我在网上找到 AF139材料，我们通常使用3F3、3C96或3C95材料。 请通过计算检查峰值磁通水平、以确保磁芯不会饱和。 您还应该计算磁芯在运行和频率的磁通水平上的功率耗散。

如果匀场电感器饱和、则谐振回路中的电感值很低、可能无法实现 ZVS。

此致

Peter

尊敬的 Peter：

感谢您的回答。

实际上，内核名称为 CF139，而不是 AF139。抱歉。。。

当我使用21SWG 导线时、2股发热严重。 但35 SWG 30多股加热得到减少、但仍然发热。

您能从随附的图中说有关 ZVS 的任何信息吗？

实际上、栅极脉冲是双极信号、因此随附了 w.r.t 公共零图。 根据图、栅极脉冲只有在 VDS 变为零后才会变为正。 那么、这是正确的 ZVS。 还是我们必须查看第一张图？ (两个图是相同的、但在第二个图中都有常见的0V)

那么、您能从这个中判断 ZVS 的任何内容吗？

尊敬的 Peter：

感谢您的宝贵重播。

现在、您能否说出您的匀场电感器(评估板中)的最高温度是多少？ 很难获得与您使用的器件相同的器件。

这是内核之间的气隙吗？

如果我使用有间隙的磁芯来避免由于饱和而发热、是否有任何等效？

此致

Nidheesh。

你好，Nidheesh

恐怕我不知道 EVM 上的垫片电感器的温度是多少。

如果电感器随着负载电流的增加而变热、则增加的原因将是铜损耗、因为磁芯损耗会保持恒定。

假设您已将垫片电感器设计为以100kHz 的频率运行、并且磁通摆幅为200mT、则 CF139磁芯材料的功率损耗将为400kW/m^3。 PQ26/20内核的体积为5820mm^2、因此磁芯损耗为2.3W。 假设铜在总损耗接近5W 时具有类似的损耗。 请检查这些数字。

无论如何、匀场电感器中没有直流电流、因此不需要间隙。 如果没有间隙、则磁导率将接近材料数据表中的 ui 值或约2100。 PQ26/20的 AL 值为7020nH*T^-1、因此您只需约3圈即可得出50uH。

查看文档中的信息和程序、网址为

https://www.ti.com/seclit/ml/slup304/slup304.pdf

和 https://www.ti.com/seclit/ml/slup132/slup132.pdf

此致

Colin

您好、Colin、

通过使用利茨导线、我能够稍微减少发热。

 因此问题似乎来自我购买的核心材料。 现在、我尝试了另一家制造商提供的差分材料。 现在、加热几乎处于控制之下。

但我们注意到 R98正在发热。 此 R98的用途是什么？

(我的输出电压为60V、次级 MOSFET 的 VDS 约为180V)

此致

Nidheesh

您好、Colin、  

我阅读了一篇文章、其中 u 介绍了如何计算 R98值。 因此、在这种情况下、您将计算出1/2 L/N I^2的漏电感和次级电感。

我的垫片电感为10uH 作为泄漏、如果是、我是否还需要在1/2 L/N I^2的计算中添加该值、或者只需要考虑变压器漏电感？

您好、Nidheesh、

很抱歉耽误你的时间、但科林本周已不在办公室、下周他将回来、然后可以回答。

我在 UCC28950 EVM 中查找了 R98、但在 BOM 中却看到了 R98？

此致

Peter

尊敬的 Peter：

我在此附上原理图。R98用红色圆圈标记。