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[参考译文] UCC2897A:开关噪声导致 EMI EMC 测试面临问题。

Guru**** 2561930 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/859034/ucc2897a-facing-issues-in-emi-emc-testing-due-to-switching-noise

器件型号:UCC2897A

您好!

我在 EMI/EMC 测试中遇到了一个问题,因为我使用 IC TPS2373-3RGWR 和 开关 IC UCC2897ARGPR 进行基于 POE 的设计,因为开关噪声通过以太网电缆耦合并辐射,因此我们在 EMI/EMC 测试中失败了。 由于30Mhz - 1GHz 范围内的开关谐波、整个本底噪声增加并出现故障、我们尝试了几个选项、但从未减少、但最后我们调整了共模扼流圈、然后它显示了一些效果、但效果不大。

我随附原理图以供参考、请提供相关选项、以便我们通过 EMI/EMC 预扫描测试。

第一个是使用近铁探头、第三个是消声室结果。

此致、

Pankaj

    

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    你好 ,Pankaj Kanthaliya,明天专家会回答你的问题。谢谢——邓

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    您好 Pankaj、

    EMI 是一个系统级问题。 它与滤波器设计、PCB 布局、缓冲电路、组件选择等有关。

    以下是您的案例的一些建议、您可以尝试:

    1.不知道您使用的是哪种 CM 扼流圈材料。 对于50~100M 测试波形中的高频噪声抑制,我建议您选择 NiZn CM 扼流圈而不是 MnZi 扼流圈,

    2. PCB 布局:缩小高 di/dt 电流环路面积。 而高 dV/DT 节点应远离输入滤波器电路。

    3.将直流链路陶瓷电容器尽可能靠近 DI/DT 环路。如果可能,请尝试在此处使用 CBB 电容器。

    4.用铜箔屏蔽变压器磁通并将其接地。

    5.您可以使用近场探测来确定噪声频率,并检查它是开关频率的高信号还是次级侧 FET 反向恢复噪声,并尝试调整缓冲器。

    希望能为您提供帮助。

    谢谢。

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    您好 Jaden、

    感谢您的回复。

    您能不能在原理图中详细说明上述几点、在这一点上、您将了解 di/dt 和滤波电容器、请在原理图中提供缓冲器值及其参考标识符。

    非常感谢您的快速重播。

    此致、

    Pankaj

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    你好 Pankaj

    初级侧的高 di/dt 环路是大容量滤波电容器->变压器初级绕组->主 FET ->GND、另一个 di/dt 环路是大容量滤波电容器->变压器初级绕组->钳位电容器->AUX FET ->GND。 次级侧的主要高 di/dt 是 变压器绕组->整流器 FET ->输出电容器 和续流 FET。 原理图中的滤波电容器是2.2uF c427~c430。 原理图很难识别 C427是否正确、可能是 C417、但无论如何、滤波器电容器靠近变压器。 您必须在 EMI 效应和效率之间进行权衡,以选择缓冲器值, R=10欧姆和 C=470pF,这可能是您的次级侧 FET 的起点。

    谢谢。

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    您好 Jaden、

    感谢您的回复。

    我在这里附上了原理图、以 pdf 格式提供更好的可见性。

    请检查一次。

    e2e.ti.com/.../4617.POE.pdf

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    您好 Pankaj、

    再次感谢您分享原理图,我对它没有更多的意见。 如果您有其他问题、请创建新帖子。

    谢谢。