我们将 LMG1205用作由 EPC2001C FET 制成的 GaN 半桥的驱动器。
最近、我们遇到了 FET 在特定条件下(切换高电流)燃烧的一些问题。
为了找出导致这种情况的原因、我们执行了双脉冲测试。 我们看到栅极信号上的振荡取决于我们切换的电流。
在我们看来、问题是由高 dU/dt (电流越高越高)引起的、这会导致电流过米勒容量并对栅极电压产生影响。
但是、我们对之后的过冲有点担心(会导致交叉传导)。 它是一个大约300MHz 的振荡。
但现在我的问题是：
我知道、确切的行为是 FET、驱动器和 PCB 的相互作用。 但我们的猜测是、振荡是由驱动器输出(可能是输出级的体二极管？)的谐振引起的。
您是否有关于输出的转换行为的数据？ 是否有任何谐振频率？
尊敬的 Jeff：
感谢您的回复！
由于两个 FET 交叉导通而失效。 我们观察到了 LMG1205缺陷以及 当 FET 发生故障时(由于汽化焊料或内部短路)对 gatepin 短路可能导致的问题。
双脉冲测试：
我们将电感器与低侧开关并联、然后通过向 LMG1205的 HI 引脚提供一定数量的脉冲(来自频率发生器)来切换高侧。
我们对低侧开关(与高侧并联的电感器)所做的相同。
通过此过程、电流会随每个脉冲而升高、并且可以观察到不同电流下的开关行为。
我们已经使用尾纤探针测量电压。 由于我们的栅极环路非常小、并且我们不使用外部栅极电阻器、因此 LMG1205的输出和测得的栅极电压应相同。
我们在 MATLAB 中处理了示波器数据、以便进行更深入的了解。 我们使用了2.5GHz 示波器、因此带宽限制为500MHz 探针、足以进行此测量。
我附加了三幅图、每幅图有三幅：
-->第一幅图：低侧的电压(LO 电压)
->第二幅图：开关节点和输出电流
-->第三幅图：高侧的电压(HO 电压)
图1：双脉冲测试的总波形图(电感器与低侧并联时位于高侧)
图2：放大 t= 5µs μ s、其中振铃非常小(约为4A)
图3：放大 t= 0µs Ω、其中振铃较高并导致寄生导通(开关电流约为45A)
此致
Thomas
