[参考译文] BQ25895M：BQ25895M IC 的设计审阅和默认模式设置、主机模式设置

您好 Nikunj、

我在原理图中没有看到明显的错误。  我假设您提到的 TS 引脚分压器从 REGN 到 TS 为10kohm、然后从 TS 到 GND 为10kohm、没有其他连接到 TS？

充电器可在升压模式或降压充电模式下运行、但不能同时运行。  在施加 VBUS 的降压充电模式下、V (SYS)=更大[V (BAT 或 MINSYS=3.5V 默认值)且 V (BAT)充电至4.35V。 在降压充电模式中，V (PMID)=V (VBUS)-IBUS*RDSonQ1。  为了使 OTG 升压模式自动打开并将 PMID 调节为5.1V、必须移除 VBUS 电压、并且必须有一个电压大于3.0V 的电池为反向运行的降压转换器作为升压转换器供电。

此致、
Jeff   

尊敬的 Jeff：

感谢您的回复。

 正如您所说的"我假设您提到的 TS 引脚分压器在 REGN 至 TS 之间为10kohm、在 TS 至 GND 之间为另一个10kohm、没有其他任何器件连接到 TS"、这与我的 PCB 上的配置相同。

我从数据表中将其计算出来、根据您所说 、降压和升压模式不能同时工作、但仍然存在一个困惑、如果我将 VBUS 连接到5V、那么我确实会在 PMID 引脚上获得相同的电压、 那么、我可以说 Q1 (RBFET)在施加 VBUS 时开启了吗？ 是真的吗？  

我的 VBAT 为3.6V、如果我在不应用 VBUS 的情况下使用升压模式、我将获得3.8V 的电压。

此外、根据默认配置、我没有获得正确的 VBUS 和 VSYS。

谢谢、此致、

Nikunj

您好 Nikunj、

是的、当 VBUS 升至 UVLO 阈值以上时、充电器内部 FET Q1打开。

关于升压模式下的 V (PMID)=3.8V、您在 PMID 上的负载是多少？  借助从 SW 到 PMID 的二极管、升压转换器可为 PMID 提供高达3.1A 的输出电流。  在升压模式下、VBUS 应该接近于零。

您的原理图中外部 Q1的用途是什么？  它是 NFET、因此需要大于 VSOURCE+Vth 的栅极驱动器才能导通。  我看不到一个升压电路来产生完全导通 FET 以向充电器提供5V 电压所需的栅极驱动。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

  外部 Q1的用途是根据应用需求启用和禁用升压模式。

现在、我正在测试默认模式、因此使用跳线将接头2外部接地。 此外、R17不会放置在电路上。

PMID 无负载。

谢谢、

Nikunj  

Nikunj、

我看不到在充电模式或升压模式下如何开启 Q1。   NFET 的栅极驱动电压必须高于源极电压。  在升压模式下、升压转换器是否切换(SW 下的方波)？

此致、

Jeff