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您好、
(首先、请参阅我的上一篇相关文章)然后如何计算特定电容的最小负载/电阻、假设为0.1uf、因为在我们的案例中、充电时间远高于理论计算的充电时间、但它不起作用。
提前感谢
Rahul。
您好、Rahul、
我们的办公室因美国感恩节假期关闭。
Jeff 将在下周早些时候再次与您联系。
没问题！！！
顺便说一下，所有美国公民的感恩节快乐节日。
谢谢、此致
Rahul
自举电容器的自举充电路径为从 VDD 电容器通过自举二极管到 HB-HS 电容器。 此外、通过低侧 FET 的 HS 也是充电路径。 因此、自举二极管电阻加上低侧 FET 导通电阻和自举电容器会产生时间常数。 T= Cboot x (Rd + Rdson)。 如果自举二极管电阻为0.5欧姆且自举电容为0.1uF、 如果我们假设 Rdson 为0.1欧姆、则时间常数为 t=0.1uF x 0.6欧姆= 0.06us、以达到充电电压的67%。 有效自举电容为2倍 Qg (VDD - VF (自举二极管)。 自举电容= 10x 栅极电容是引导电容值的良好指导原则。 在本例中、HS 节点上的负载会使 HB-HS 电容器放电、 如果负载在 HS 导通时间超过60ns 期间对电容器放电、则 HB-HS 电容器最终可能会耗尽、并具有足够的开关周期、以防止电容器补充电。
您应用的以下操作条件是否与原始问题相同？ 输入电压即 Vds=12v、Vdd =5V、单相570欧姆负载电阻、输入频率10kHz @50%占空比
谢谢、
嗨、Jeff、
否，如之前所述，运行条件是：-
Vd=12v、Vdd =5V、单相10欧姆负载电阻、输入频率10kHz @50%占空比。
已上传的图像。
谢谢、此致。
感谢您的更新、
为了清除并总结上一篇文章、我们尝试使用 HS 上的负载电阻作为自举充电路径、而不是典型的低侧同步 FET。 通常、在 HO 关断时间期间将 HS 切换到接地的低侧 FET 可以解决我们的问题、但我们依赖于电阻器接地路径。
但是、尝试找到我选择对此进行仿真的最小负载电阻。 使用 LMG1205 SPICE 模型默认原理图并将频率设置为10kHz I tested VBUS=12V 至80V、发现保持自举充电的最小电阻为1欧姆。 有关数据分析、请参阅附件。
如果1欧姆电阻不适合您的应用、是否可以使用低侧 FET 甚至体二极管来实现自举充电路径？
如果不能、我们是否能够在单独的电源上为 HB-HS 供电？
e2e.ti.com/.../minimum-load-on-HS-_2D00_-with-100nF-bootcap.pdf
