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[参考译文] BQ25505:输出电压(在使用二次电池时)低于预期

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25505
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858411/bq25505-output-voltage-while-on-secondary-battery-is-lower-than-expected

器件型号:BQ25505
为我们的二次电池充电似乎效果良好。 当我们的电路完全运行时、它通常消耗大约160mA 的电流、大约为700mA (最大值、但快速突发) 、但有一个超级电容器来处理突发。 我们通常需要大约3.0V 及更高的电压来维持我们的电路。 但是、我们只能读取 BQ25505使用充满电的3.7V 锂聚合物电池产生的2.1V 电压。 有什么想法吗? 我们对芯片进行了编程、使其具有 :VBATT_ov=4.0V VBATT_ok=3.1v VBATT_hyst=4V
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    恩里克

    根据您的当前配置、该器件的运行方式如下:

    -电池充电至3.958V (VBAT_OK_HYST)、此时 VB_SEC_ON 打开、允许辅助电池为此系统供电;充电继续。

    -电池充电持续到4.068V (VBAT_OV)并且充电停止

    -电池放电、当 VBAT 降至低于(VBAT_OV - VBAT_OV_HYST)时恢复充电

    -在3.073V (VBAT_OK)之前、电池将进一步放电、此时 VB_SEC_ON 关闭、辅助电池无法为系统供电

    考虑到这一点、当您提供充满电的电池时、VBAT_SEC、VSTOR、/VB_SEC_ON 和您的系统电压到底是什么?

    谢谢、

    Ricardo

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    当充满电的电池打开且 VIN_DC =0且 VBAT_PRI =0时...

    VBAT_SEC=4.24V

    VB_SEC_ON=1.8V

    VSTORE=0

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    恩里克

    VBAT_SEC 和 VSTOR 之间的 PFET 似乎未开启。

    造成这种情况的原因可能是第7.4.3节" 未连接输入源时、VSTOR 节点应在连接存储元件之前放电至接地。 热插拔充电的存储元件(例如、电池保护器 PFET 关闭)、并且 VSTOR 节点高于接地100mV 以上、会导致 VSTOR 和 VBAT_SEC 之间的 PFET 保持关闭状态、直到连接输入源。" 您说 VSTOR 为0V、这正是0V 还是近似值?

    另一个原因可能是8.1.4.4中所述的快速瞬变、但您提到没有系统负载消耗功率。

    在连接电池之前、请告诉我您在 VSTOR 上观察到的情况、因为我认为我的第一点可能是问题。

    谢谢、

    Ricardo

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    观察结果:

    具有以下设置:

    • VBAT-pri = 3.2V
    • VBAT-sec=2.0V (采纳您的建议)
    • 下行电路的电流消耗为5mA (没有程序运行以产生电流尖峰)
    • VBAT_sec 未连接电池

    我们看到:

    1. Vstore = 0.83V
    2. VBAT-sec 上的电流消耗是神秘的322mA
    3. /vb_sec_on=3.2V
    4. /vb_pri_on=0V

    在添加一个临时5V 3.5F 超级电容器代替可充电电池后

    • 我们根本看不到超级电容器充电

    <<<然后、我将 BQ25505更换为新的、怀疑已销毁器件>>>

    此时超级电容器充电至4.0V

    • VBAT_OK 升高
    • VB_PRI_ON 升高
    • Vb_SEC_ON 发送为低电平

    好消息就是这样!  这似乎一直是一个坏的部分。

    现在有一点奇怪的是、初级电池仍有大约170uA 的电流流动。  我本以为这会达到20nA、根据 I-BATPRI (LEAK) ???

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    恩里克

    您的理解是正确的。 当/VB_PRI_ON 为高电平时、应该有一个从 VBAT_PRI 汲取到芯片中的大约20nA 的典型电流。 在这些条件下、两个电池的电压是多少? 该电流是流入芯片还是流向 GND 或您的系统?

    我正在查看您的原理图、并注意到您使用的 FET 与 EVM BOM 中建议的 FET 不同。 我看到您选择的 Panasonic FET 具有更高的 VGS 泄漏电流(10uA)、但这一数量级比您看到的数量级低。 您是否在我们的 EVM 上看到此泄漏电流? IC 损坏时、FET 是否可能已损坏?

    谢谢、

    Ricardo

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    您好!

     

    我一段时间没有听到你的反馈。 如果您有任何疑问、请告知我们、否则我将关闭此主题。

     

    谢谢、

    Ricardo