This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ4050:高侧低侧建议

Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76920, BQ4050

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/860071/bq4050-high-side-low-side-advice

器件型号:BQ4050
主题中讨论的其他器件:BQ76920

我有一位客户尝试使用 BQ4050。 他们的原型设计版本1有错误、因此必须重新完成。 但是、它们存在一个机械问题、需要从其 PCB 上移除四个高电流端子之一。 很清楚、他们的请求是将感应电阻器移至高侧、以便 PACK  -和 B -接地端变为相同。 这是为了避免需要单独的 B 端子。  从很多阅读中可以看到、我认为这种设计改变是不切实际的;需要很多运算放大器电路和负电源等 不过、我看到 BQ76920将保护 FET 移至低侧、因此无需使用第四个端子。 我可以切换到这个、但是客户的技术人员已经非常熟悉 BQ4050设置。 虽然 TI 没有适合它的参考设计或应用手册、但我可以在低侧使用 BQ4050驱动 FET 吗? 我会根据 BQ76920参考原理图调整设计。 还是 BQ4050缺少内部细节使其无法实现?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Thomas:

    否 我们不建议将保护 FET 移至低侧。  主要原因是我们没有任何用于此目的的参考设计。 我们建议它们遵循我们的电流参考设计、其中将这些 FET 放置在高侧。

    Andy