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[参考译文] LM5106：如果 HS 压摆率超过50V/ns、会出现什么问题？

admin
Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5106, UCC27712

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858842/lm5106-what-issue-occurs-if-hs-slew-rate-exceed-50v-ns

器件型号：LM5106
主题中讨论的其他器件： UCC27712

您好！

当我们使用 LM5106超过 HS 压摆率建议时、会出现什么问题？

此致、

渡边俊弘

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Watanabe-San、您好！  

     数据表的"建议运行条件"部分设置了 TI 指定器件运行的条件。 这些是应用电路应向器件提供的条件、使其能够按预期工作。  

    当超过这些值时、驱动器可能会超出规格运行、这意味着驱动器可能不会遵循规格(上升/下降时间、传播延迟、峰值电流等)。 在 EC 表中。 在某些情况下、这可能会导致损坏、因为过多的 dv/dt 会引起引脚/驱动器无法承受的寄生噪声和瞬态。

    我希望这澄清了你的关切。 如果是、请按绿色按钮、如果您有其他问题、请告知我们。

    此致、

    -Mamadou

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mamadou、

    请回答更多问题。

    问题1.
    建议运行条件下的 HS 压摆率是否定义为 HS 和 VSS 之间的电压压压摆率？

    问题2.
    我计划在 SiC MOSFET 栅极驱动器中应用 LM5106。
    HS 和 VSS 端子的电势变化率将超过50V/ns (约140V/ns)。
    是否有任何问题？

    此致、

    Junichi Nomura

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
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    Nomura-San、您好！

    是的、HS 引脚上的压摆率以 GND 为基准。

    2.对于 SiC MOSFET、请记住、建议的最大工作栅极驱动电压为 VDD=14V、而 SiC FET 通常需要更高的栅极驱动电压和更高的 UVLO 阈值、以最大限度地降低损耗。 您可能需要考虑 UCC27712等更高的 VDD 栅极驱动器。 除此之外、超过50V/ns 的压摆率可能会使驱动器承受损坏或行为不当的压力。

    此致、

    -Mamadou