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[参考译文] CSD23280F3:用于为 TI bq25505能量收集器芯片提供极性反转输入保护的 PMOS FET

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25505, CSD23280F3, CSD23202W10
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858774/csd23280f3-pmos-fet-used-for-polarity-reversal-input-protection-for-ti-bq25505-energy-harvester-chip

器件型号:CSD23280F3
主题中讨论的其他器件:BQ25505CSD23202W10

TI bq25505支持组已建议使用 PMOS FET 来防止我在新设计中使用的 bq25505输入极性反转。 TI 支持(Ricardo)提供了一份文档: http://www.ti.com/lit/an/slva139/slva139.pdf 、其中介绍了 PMOS 输入保护方法。 但是 、bq25505 的 Vin (cs)上具有600mv 的冷启动电压、因此我需要 一个 PMOS FET、该 FET 的栅源阈值电压 Vgs 小于-0.6V、并且 RDS (on)可能最低。 否则、FET 可能会阻止 bq25505 冷启动。 CSD23280F3的 VGSTH 为-0.65V。 TI 是否有能够满足这些要求的 FET? 小型风力涡轮机的实际最大源漏电流将小于100mA、因此不需要高功率、只需低 VGSTH。

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    Ellis、您好!

    感谢您关注 TI FET。 我进行了搜索、CSD23202W10具有最低的典型 VGS (th)=-0.6V。 TI 在 ID =-250uA 且 T = 25C 时测试并指定阈值电压。 请记住、数据表的限制为-0.4V 至-0.9V、 这就是我们可以保证的一切。 当该 FET 被开发时、我上拉了特性数据、在-0.6V 范围内、最大测量值只有几 mV。 请注意、这些是3个批次的样本、可能不会反映较大生产样本大小下的实际批次间差异。 阈值电压的标称值具有-7mV/C 的负温度系数。 加热器件时、阈值较低、在较低温度下、阈值会增加。

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    Ellis、您好!

    跟进以查看您是否有任何其他问题。 如果第二天我没有听到您的问题、我会认为这已经充分解答了您的问题。

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    Ellis、您好!

    再次感谢您关注 TI FET。 我将关闭该线程。 如果您仍有疑问、请随时与我联系。