[参考译文] BQ40Z80：ASCD 测试和 DSG MOS 烧写

你(们)好

为了防止器件再次跳闸、必须消除导致安全条件的条件。 您可以将恢复条件设置为与触发 FET 的条件非常远、以防止 FET 重新触发。 PS 查看 TRM 中的条件。

谢谢

Onyx

尊敬的 Lin：

有一个锁存功能、可防止 FET 在持续故障情况下持续打开和关闭。 请参阅 Onyx 提到的 TRM。

见第22和24页第3.7和3.7.3节。

http://www.ti.com/lit/ug/sluubt5b/sluubt5b.pdf

3.7基于硬件的保护 BQ40Z80器件具有三种主要的基于硬件的保护功能- AOLD、ASCC 和 ASCD1、2 -具有可调电流和延迟时间。 设置 AFE 保护配置[RSNS]会将阈值减半。 阈值设置以 mV 为单位；因此、触发保护的实际电流基于原理图设计中使用的 RSENSE。 此外、通过设置 AFE 保护配置[SCDDx2]位、可以选择将所有 SCD1、2延迟时间加倍、以实现满足应用需求的最大灵活性。 有关如何配置 AFE 硬件保护的详细信息、请参阅附录 A 中的表。所有基于硬件的保护都提供跳闸/锁存警报/恢复保护。 锁存功能可防止 FET 在持续出现故障的情况下持续打开和关闭。 通常、当在延迟时间之后检测到故障时、CHG 和 DSG FET 将被禁用(跳闸级)、并且内部故障计数器将递增(警报级)。 由于两个 FET 都关断、电流将降至0mA。 在恢复时间之后、CHG 和 DSG FET 将再次导通(恢复阶段)。 如果警报是由电流尖峰引起的、则故障计数将在计数器解码延迟时间后递减。 如果这是持续的故障情况、器件将在延迟时间后进入跳闸阶段、并重复跳闸/锁存警报/恢复周期。 每次器件经过 TRIP/锁存警报/恢复周期时、内部故障计数器都会递增。 一旦内部故障计数器达到锁存限值、保护将进入锁存级、故障将只能通过锁存复位条件清除。 跳闸/锁存警报/恢复/锁存级记录在以下每个基于硬件的保护部分中。 可拆卸电池组([NR]= 0)的恢复条件基于 PRES 引脚上的转换、而嵌入式电池组([NR]= 1)的恢复条件基于复位时间。

3.7.3放电短路保护 BQ40Z80器件具有基于硬件的放电短路保护、电流和延迟可调。 此外、还可以通过设置使能 PF B 寄存器中的[ASCDL]位来启用此保护功能、从而创建 PF。

你好、Lewis、
感谢您的回复。 遗憾的是、该解决方案不符合我的要求、因为我无法使用 PF、并且我的[NR]= 1。
下面是我 的探头图片。

我有5S 电池和3并联 DSG MOS。
手动进行 ASCD 测试时、一切都正常。 但是、如果它仍然短路、则会发生这种类型的波形(如上图所示)。
您是否有解决我的问题的方法或绕过此问题的建议？

尊敬的 Lin：

您是否有可共享的原理图？ DSG FET 看起来是由于其关闭时满足恢复条件而重新开启的、但即使电流超过 ASCD 阈值、它也会保持开启状态。 它应打开和关闭。  您能否在测试期间捕获 DSG FET 栅极电压？ 看起来电流达到150A。 是这样吗？ 您的感应电阻器的尺寸是多少？ 您是否知道 SRP 或 SRN 引脚是否也损坏？ 您的 ASCD 阈值设置为什么？ 我怀疑 DSG FET 的关断速度不够快、从而造成损坏。 使用3个并联 FET 时、栅极电容可能会很高、因此会增加 FET 关断时间。 您可以尝试减小栅源极电阻器、但它也会增加导通时间并降低栅极驱动电压。