[参考译文] BQ25505：输入保护

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858332/bq25505-input-protection

器件型号：BQ25505
主题中讨论的其他器件： CSD23202W10

我正在将 bq25505设计为风能收集设备。动能收集由连接到用作发电机的小型有刷直流电机的涡轮机完成。

三个问题：

发生器输出阻抗约为70欧姆。当使用这个极低阻抗源作为 bq25505的输入时、我是否应该解决特定的输入问题？

2.发生器输出有可能超过 bq25505的5.1V 输入限制。我计划使用齐纳二极管将 bq25505输入钳位到大约5V。

3. bq25505输入端的负偏移如何？对于负电压输入、bq25505在其输入上具有何种内部保护？除了极少数情况(涡轮反转或发电机反转)外、我不希望输入变为负、但我希望保护收割机芯片和输入电容器免受这些情况的影响。 bq25505输入上是否有二极管钳位以防止负输入？如果是、该内部二极管的电流限制是多少？我需要确定是否需要在 bq25505输入上提供外部二极管钳位、以防止负偏移。我不想使用二极管电桥、因为它会导致大量压降。

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 670150 points

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埃利斯

1、70欧姆实际上应该是可以的。实际上、我们建议在 EVM 用户指南中使用20欧姆的电源串联电阻。我个人在实验室中使用100欧姆的器件。

2.从 VIN_DC 到 GND 的5V 齐纳二极管是一种良好的过压保护解决方案。

3.我建议在电源路径中使用 PMOS FET 或在接地返回路径中使用 NMOS FET 、如此处所述。 BQ25505没有内置反极性保护、超过负 VIN_DC 绝对最大值将导致 IC 损坏。

谢谢、

Ricardo

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 670150 points

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Ricardo、

我对您在电源路径中使用 PMOS FET 以实现极性反转保护的建议有点困惑。 bq25505的 Vin (C)上具有600mv 的冷启动电压、建议使用的 Vishay SI2323DDS FET 的栅源阈值电压 Vgs 为-0.4V 至-1V。这是否有可能阻止 bq25505冷启动？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 670150 points

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埃利斯

很抱歉、我不是特别建议您使用该报告中使用的 FET。我只是想向您展示该应用手册以说明该概念。您的假设是正确的、您将需要寻找具有尽可能低 Vgs 的 PFET、同时保持 RDSON 尽可能低。我建议您创建一个新主题、以便从其中一个 MOSFET 团队获得具体建议。

谢谢、

Ricardo

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 670150 points

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Ricardo、

今天我和 TI MOSFET 组聊了聊、他们说了以下几点：

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感谢您关注 TI FET。我进行了搜索、CSD23202W10具有最低的典型 VGS (th)=-0.6V。 TI 在 ID =-250uA 且 T = 25C 时测试并指定阈值电压。请记住、数据表的限制为-0.4V 至-0.9V、这就是我们可以保证的一切。当该 FET 被开发时、我上拉了特性数据、在-0.6V 范围内、最大测量值只有几 mV。请注意、这些是3个批次的样本、可能不会反映较大生产样本大小下的实际批次间差异。阈值电压的标称值具有-7mV/C 的负温度系数。加热器件时、阈值较低、在较低温度下、阈值会增加。

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因此、使用 MOSFET 进行保护并不是很好、因为使用-0.6V VGS (TH)时、bq25505可能无法启动。

不过，我觉得问题更严重。在某些低风速条件下、我们的发生器将输出低至0.1V 的电压、bq25505可在启动后从低至0.1V 的电压中收集能量。因此、即使在这些低电压下、我也希望能够从发生器收集能量。这肯定会排除 VGS (TH)为0.6V 的 FET、因为 bq25505将永远不会看到该电压。

因此、我认为、跨输入并联5V 齐纳钳位的肖特基二极管可能是防止反向电压的最佳选择。您的想法？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 670150 points

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埃利斯

肖特基是一种可接受的解决方案。请记住、肖特基并不理想、正向压降很小、但这只适用于负电压摆幅。

谢谢、

Ricardo

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