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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858294/csd22205l-idss-at--4vds-igss-at--4vgs
您好！
我们的客户需要了解-4V VDS 和-4V VGS 下的 IGSS。 请告诉我们这些数字。
此致、
您好、IMI-SAN、
感谢您向客户推广 TI FET。 在这些条件下、我们不测试漏源和栅源泄漏电流或对其进行规格说明。 因此、我没有要共享的数据。 在产品开发过程中、我们会在数据表中指定的条件下收集多个样本的 IGSS 和 IDSS 数据：在25C 条件下、VDS = 0V 且 VGS =-6V 时测量 IGSS。 在25C 条件下、在 VGS = 0V 且 VDS =-6.4V 时测量 IDSS。 通常、此数据表明 IGSS 和 IDSS 均远低于-100nA 限制。 但是、我们只能保证数据表中的限值(-100nA)。 此外、IGSS 和 IDSS 都具有正温度系数、这意味着泄漏电流的幅度随着温度的升高而增大。 由于这是一个 p-n 结、因此对 IDSS 的影响要大得多、而对 IGSS 的影响则小得多、因为这是栅极氧化层隔离层。
从我所读出的内容来看、VDS 对 IDSS 的影响很小、VGS 对 IGSS 的影响也很小。 您能告诉我有关该应用的更多信息吗？ 对于 VDS 和 VGS、客户为何关注-4V 电压下的 IGSS 和 IDSS？
跟进以查看您是否有任何其他问题。 如果第二天我没有听到您的问题、我会认为这已经充分解答了您的问题。
