大家好、 我们正在为0至-200V 应用设计驱动器。 在构想所需的拓扑和电源时遇到一些问题。 请参阅随附的草图。 对于"高侧"开关、似乎很清楚。 HS 是负 HV 电源、我们可以使用小型浮动直流/直流为 HB 提供5V 电压、并且所有器件都很好地使用 N-MOSFET。
对于"低侧"开关、拓扑并不明显。 在使用 N-MOSFET 绘制时、没有本地接地连接驱动器。 可以使用 P-MOSFET、但 LO 需要驱动至-5V。
是否有任何建议、或指向0至-200V 驱动器示例应用电路的指针？
谢谢、
Eric Hazen
尊敬的 Eric：
感谢您深入了解 LMG1210、
通常、两个 FET 都是 NMOS、可实现轻松驱动和轨到轨功能。 为何选择 PMOS？ 这适用于电机驱动器的应用是什么？
VSS (低侧 NFET 源极或驱动器接地端)上的电压是多少？ VBUS 上的电压是多少(高侧 NFET 的漏极)？
SBD 中的高侧 FET 如何显示为低侧？ 通常、HB-HS 显示在半桥的上部、而 LO-VSS 显示在半桥的下部、如 LMG1210数据表的第1页所示(
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1210的负电压能力受 HB-HS 电压以及自举二极管正向电压的限制。 例如、使用-200V 总线电压(当 VSS=0V 时)、则不能使用自举二极管(由于 BST 额定电压超出规格)。 如果 HS 为-200V、则 HB 应为-195V。 从 BST 到 HB 的自举二极管上具有195V 的正向偏置(由于 VDD 已充电至-195V、并且当使用低侧 FET 向开关节点施加0V 时、二极管正向偏置超出规格)。 这将导致二极管烧断、HB-HS 电压升高并超过限值。 如果需要为-200V 的高侧 FET 供电、则需要为 HB-HS 提供隔离式电源、同时使 BST 引脚悬空。 如果您对此有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
