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[参考译文] LMG3425R030：在半桥应用中、高侧 GaN 器件的电源电压问题。

admin
Guru**** 1125150 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1171168/lmg3425r030-in-half-bridge-application-the-supply-voltage-for-high-side-gan-device-question

器件型号：LMG3425R030

在半桥应用中、高侧 GaN 器件的电源电压问题。

您能否帮助我们提供变压器或全硅驱动器之间的简单比较？ 优势和劣势。

如何选择

 

变压器

氮化镓中的自举无过充器问题

更好的电源电压稳定性和较小的峰间电压

…μ A

…μ A

                                                                       

硅驱动器

易于使用

…μ A

…μ A

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    TI__Guru**** 1125150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我假设硅驱动器是指自举电路。 如果是这样、由于您提到的稳定性、我们尝试建议使用变压器偏置电源。 自举电路更易于使用、但在设计中出现问题的几率更高。

    这个问题没有明确的答案、但总的来说、我们建议使用变压器偏置电源。

    此致、

    扎赫

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    TI__Guru**** 1125150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zach：

    感谢您的提醒