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[参考译文] BQ25713:由 CIS 限制 BATFET

Guru**** 2544370 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/868687/bq25713-batfet-limitation-by-ciss

器件型号:BQ25713

大家好、

如数据表说明所示、Ciss 建议低于5nF。

对 PMOS 驱动器有此限制的原因是什么?

这是否能够驱动两种情况下的 MOSFET?

第1部分:

CIS (最小值)=2867pF

CISS (典型值)=4300 pF

CISS (max)=6500pF

 

第2部分:

CIS (最小值)=3640pF

CISS (typ)=4550pF

CISS (max)=5460pF

请求

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shaq、

       

      Ciss 要求与 BATFET 栅极驱动强度有关。

      如果 Ciss 过大、则 BATFET 导通和关断速度会很慢、并受 BATFET 栅极驱动强度的限制。 这可能导致电池补充缓慢、并导致更糟糕的 VSYS 瞬态压降。

      第1部分最大 Ciss 超出了我们的要求。 第2部分最大 Ciss 取决于我们的要求。 因此、第2部分应该可以、但不建议使用第1部分、客户应该了解大 Ciss 影响的潜在风险。

    此致