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[参考译文] TPS92515-Q1:高侧 FET 的小泄漏路径

Guru**** 2530770 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92515

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/831828/tps92515-q1-the-small-leakage-path-of-high-side-fet

器件型号:TPS92515-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS92515

您好!

在 TPS92515的数据表中 、8.3.11 PWM (UVLO 和使能)显示"高侧 FET 驱动器具有通向输出的小泄漏路径。 100μA 非常小(<<<10 μ A)、如果电流未消除、LED 可能会亮起。 在 PWM 为低电平时、100 μA (典型值)下拉被激活并保持打开、并确保无光输出。'

我的问题: 高侧 FET 的体二极管从 SW 到 VIN、那么"到输出的小泄漏路径"是什么?

此致、谢谢!

文秀

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    文秀

    泄漏是由高侧栅极驱动器电路造成的。  漏电路径来自内部驱动器电路、通过 SW 引脚退出 TPS92515、流经电感器、然后通过 LED 到达 GND。  这就是我们在 TPS92515内部创建从 SW 到 GND 的100uA 下拉电流的原因。  这可以在这种情况下通过提供内部路径来防止电流流过 LED。

    -JP