[参考译文] LM5050-1-Q1：电流高达40A 时的 MOSFET 选择

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您好、Kari、

非常感谢您的快速回复。 我将使用80V 的 VDS 来更改 MOSFET

我仍然在努力计算功率耗散。 两个 ST MOSFET 的最低 R_DS (on)在25°C 时为 R_DS (on)= 1.5m Ω、在175°C 时为2.8 m Ω。因此、 最坏的导通损耗情况可能高达 P_COND = I^2 * R_DS (on)= 40^2 * 0.0028 = 4.5W。假设典型的汽车应用环境温度为100°C、则结至环境的热阻=(175 - 100)/ (40 x 40 x 0.0028)= 17 C/W、 远低于 MOSFET 数据表中指定的热阻。 请问我的计算中有什么问题吗？ 因此、我担心与 LM74700-Q1或 LM5050-Q1搭配使用以实现反极性保护是否可行。

另一个问题是、MOSFET 的典型栅极阈值电压为3.5V、高于 LM74700-Q1所需的2V。 这是否意味着我应该使用 LM5050-Q1？

我非常喜欢阅读您的报告，第 5章：反极性保护、11种保护电源路径的方法、设计技巧和使用电源开关的折衷方案。 这篇文章写得很好，内容丰富。

我有几个问题/意见、希望收到您的回答。

几个 TI 参考设计引用了理想二极管控制器 LM5050-Q1。 但在表6理想二极管控制器示例中未列出。 请就此发表评论吗？

2. LM5050-Q1和 LM74700-Q1之间没有太大差异。 您能否指出这两个理想二极管控制器之间的主要差异。 两者均符合 AEC-Q100标准。 两者具有相似的输入电压范围、LM74700-Q1为3.2 ~ 65V、LM5050为1 ~ 75V。 LM74700-Q1和 LM5050-Q1之间的两个差异 I 注意到：a)栅极阈值电压 Vth 和 b) R_DS (on)。 LM74700-Q1将最大栅极阈值电压限制为2V、而 LM5050-Q1将电压限制为5V。 LM5050-Q1数据表(第15页)建议在 LM74700-Q1数据表(第16页)中、R_DS (on)不超过100mV 建议在标称负载电流下 R_DS (on)不超过50mV。 对于标称输入电压为12V 或24V 的汽车应用、反极性保护的更好选择是哪种？ 由于 LM74700-Q1的数据表包含12V 电池和24V 电池的应用、而 LM5050-Q1的数据表包含12/24/48V 电池的应用、 我是否可以得出结论：LM74700-Q1非常适合使用12V 和24V 电池系统的低电流应用、而 LM5050-Q1更适合12/24/48V 电池系统中的高电流应用？

反极性保护的另一种常见方法是使用 MOSFET 和 BJT。 您能否告知您的报告中为何未列出此方法？ 您还能评论一下使用 MOSFET 和 BJT 与使用理想二极管进行反极性保护相比的优缺点吗？ 我想说这两种方法都是相似的、不同之处在于、MOSFET 和 BJT 方法需要电荷泵栅极驱动器、而使用 LM74700-Q1或 LM5050-Q1的理想二极管具有电荷泵栅极驱动器、因此无需外部电源。

4.您能否评论所有五种符合 ISO 16750-2的反极性保护方法？ 我是否可以说、方法1)使用理想二极管、2) MOSFET 和 BJT、以及3)使用电子保险丝都符合 ISO 16750-2要求、而方法4)使用肖特基二极管和5)分立式 MOSFET 无法满足 ISO 16750-2要求？

很抱歉、有这么多问题、非常感谢您的帮助、期待收到您的回复。

John

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