你好。
我们的客户想知道 TL1963AQKTTRQ1的裸片功率耗散。 在数据表的第10.3节中、有一个针对器件功率耗散的公式和计算方法。 1.41W 与裸片功率损耗是否相同?
提前感谢您的帮助。
此致、
卡洛
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你好。
我们的客户想知道 TL1963AQKTTRQ1的裸片功率耗散。 在数据表的第10.3节中、有一个针对器件功率耗散的公式和计算方法。 1.41W 与裸片功率损耗是否相同?
提前感谢您的帮助。
此致、
卡洛
您好、Carlo、
客户是否想知道 TL1963AQKTTRQ1的最大功耗是多少、或者他们是否想计算其应用中的功耗?
任何 LDO 的功耗主要由应用决定。 这是因为对于 LDO PD=(Vin-Vout)*Iout +Ignd*Vin。 在大多数用例中,由接地电流引起的功率耗散远低于负载电流,因此公式可以简化为 PD=(Vin-Vout)*Iout。 在计算结温部分给出的示例中、应用将从 Vin=6V 变为 Vout=3.3V、Iout=0.5A、因此该用例的功耗将为~1.4W。
如果他们想要计算 LDO 在不进入热关断状态的情况下可以承受的最大功率耗散 、那么这将取决于环境温度和热阻、而这在很大程度上取决于电路板布局。 有关电路板布局对热阻的影响的更多信息、我们最近发布 了一份应用手册 、其中比较了各种类型电路板布局的热阻。
您好、卡洛、
电路板是 IC 的散热器、因此最大功耗将取决于电路板。 但我们可以使用结至环境空气的热阻(RJA)来计算最大功率耗散。 用于计算结温的公式为 Tj=Ta+PD*RJA,但我们可以使用它来计算功率耗散,而不是使用 PD=(Tj-Ta)/RJA。 对于 Tj、我们使用125C、这是器件的额定最高工作温度、RJA 为22.8C/W、在热性能表中可以看到、Ta I 假设为室温(25C)。 因此、室温下的最大功耗为 PD=4.39W。
但愿这有所帮助