This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMZ31710:LMZ 系列电源模块的原理图验证

Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: LMZ31710, LMZ21701

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/866062/lmz31710-schematic-verification-for-power-modules-of-lmz-family

器件型号:LMZ31710
主题中讨论的其他器件: LMZ21701

尊敬的 TI 团队:

我将在即将推出的电路板中使用以下 LMZ 系列稳压器。

LMZ 系列
LMZ31710:1V@10A
LMZ31710:3.3V@10A
LMZ31710:3.9V@10A
LMZ21701:1.8V@1A
LMZ21701:2.5V@1A
LMZ21701:1V@1A
LMZ21701:1.5V@1A

请验证上述电路所附的原理图。

 

谢谢、此致、

Binayake2e.ti.com/.../LMZ_5F00_family.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Binayak、您好!

    我已收到您的原理图、正在对其进行审核。 我计划在今天结束之前提供原理图审阅。

    此致、

    Jimmy

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Binayak、您好!

    我能够查看您所附的原理图审阅。  

    对于 U115原理图、您是否计划将 UVLO 功能与电阻分压器结合使用? 我在 UINH/UVLO 引脚上只看到49.9K 的上拉电阻。 该器件具有内部上拉电流源、因此该器件在悬空时启用。 如果不需要 UVLO 功能、您可以移除上拉电阻器、从而节省一个额外的组件数。

    对于所有 LMZ21701原理图(PS 5、6、9、10)、 我还建议在 VOS 和 AGND 之间添加一个0.1uF 或1uF 旁路电容器、以提高抗噪性的稳健性、因为 VOS 引脚是敏感节点、如果周围有外部噪声电路、则会影响器件的稳定性和性能。 此外、请遵循 PCB 布局指南、尤其是 图81第3层中突出显示的专用隔离式 VOS 布线 、并使输出反馈节点尽可能小、以防止噪声通过该路径耦合。

    原理图中的所有其他内容看起来都正常。  

    此致、

    Jimmy  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Jimmy、

    感谢您的评论。

    对于 LMZ31710:

    - U112和 U113将 由3.3V 高逻辑启用(来自序列发生器的输出);从而控制 EN 信号。

    -对于 U115、我计划从外部上拉 INH/UVLO 引脚以实现默认使能。 我不打算使用 UVLO 功能。 除了现有的内部上拉电阻外、添加外部上拉电阻是否会造成任何损害?

    对于 LMZ21701:

    -没有 AGND 引脚。 我想您尝试说的是 GND 引脚。

    -我将在 VOS 引脚上保留一个1uF (0201)去耦电容。 我想这应该是好的。

    我将等待您的评论。

    谢谢、此致、

    Binayak

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Binayak、您好!

    我认为、只要外部上拉电阻在引脚额定规格范围内、就不会出现问题。 在您的原理图中、它看起来可以、因为它仅默认上拉至3.3V、低于 INH/UVLO 引脚的6V 绝对最大值。

    对于 LMZ21701、VOS 和 GND 之间的去耦 VOS 电容器将有助于实现抗噪性能。  

    此致、

    Jimmy