主题中讨论的其他器件: TPS536C7
大家好、
我有一个问题、 即如何通过 PMBus 修改报告值下的 IOUT、如下图所示?
我的客户希望使用 BIOS 来修改此值、但不使用 GUI。
BR、
Jimmy
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您好 Willis、
如果您无法访问 TPS536C9 TRM、我建议您查看 TPS536C7 TRM 的第17页。 该文档可在 TI.com 上公开获取。 它提供了有关 PMBus 命令结构的信息、TPS536C9的命令结构相同。
谢谢、
特拉维斯
您好 Willis、
您可以通过查看写保护寄存器来检查器件是否受写保护。 您是否尝试更改过任何其他寄存器? 默认情况下、写保护处于禁用状态。
该特定寄存器仅在下电上电后更新 SVID 参数、因此您需要发送"STORE_USER_All"命令以写入 NVM、然后重新启动器件以使更改生效。
此外、如果用户要手动更改系统在 BIOS 中的运行方式、这是可以的。 如果自动程序将处理 SVID 的更改、请注意 NVM 在其寿命内具有大约10、000次最大写入。 这在正常操作中不是问题、但我不建议让 BIOS 程序过度重写 NVM 以进行优化。
谢谢、
特拉维斯
您好、Travis、
如果我想更改"IOUT under reporting"、是否需要执行下电上电才能生效?
我想我不想将其写入 NVM。 我只想在寄存器 B8h 上更改它。 交流电源循环后、设置将回滚、因为控制器将从 NVM 重新加载设置。 TRM 说、它是针对寄存器 B8h 的动态配置。 这意味着我不需要重启电源、对吗?
此外、我可以通过读取和写入寄存器00h 来更改页面设置、但无法写入寄存器 B8h。 (我可以读取寄存器 B8h。)
Willis
您好 Willis、
您可以"动态"更改它、因为您可以随时重写 RAM 中的值。 但是、该寄存器中的许多字段在上电期间只能被读取以设置 SVID 参数。 为了使更改对 SVID 报告生效、必须将 RAM 值写入 NVM、然后需要对 TPS536C9进行下电上电。
我不知道为什么您无法写入寄存器 B8h。 我建议检查 WRITE_PROTECT 寄存器并确保其设置为0。 此外、请尝试使用 Fusion GUI 进行写入、看看它是否起作用。