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[参考译文] CSD17483F4：泄漏电流问题

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17483F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813089/csd17483f4-leakage-current-question

器件型号：CSD17483F4

您好、先生、

我的客户使用 CSD17483F4作为 OSC (32687HZ)的电平转换器功能

系统在某种模式下不能通电、并且仅为 OSC 提供备用电池电源。

在该模式下、CSD17483F4未施加任何功率、但 CSD17483F4的栅极引脚有2.5V 方波输入 、客户将看到24uA 的总功耗、 但是、如果它们更改为类似规格的 MOSFET、总功耗将降至8uA 。

我是否可以帮您建议 为什么 CSD17483F4具有更高的泄漏电流？

附件是它们连接 CSD17483F4的方式。

非常感谢

Patrick

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Patrick：

    感谢您提出问题。 您客户测量的电流不是由数据表中的 IGSS 导致的、在 VGS = 10V 和 VDS = 0V 时、IGSS 的最大值为50nA。 即使漏源电压= 0V、电荷也会在每次周期2.5V 至0V 的充电和放电范围内流入和流出 FET 的输入电容。 从数据表图4中显示的栅极电荷与 VGS 图中、QG = 0.6nC、VGS = 2.5V。 然后、平均栅极电流为 dQG/dt = 0.6nC x 32687Hz = 19.6uA (典型值为0.6nC、并且部件间和批次间存在一些差异)。 当客户尝试另一个 FET 并且测量较低的电流时、该 FET 必须在 VGS = 2.5V 时具有较低的栅极电荷。 您是否具有另一个 FET 的器件型号或知道 VGS = 2.5V 时其栅极电荷是多少？

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Patrick：

    我假设我之前的答复回答了您的问题。 我将关闭该线程。 如果您有任何其他问题、请随时与我联系。