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[参考译文] LM5176-Q1:栅极电阻器和并联 FET

Guru**** 1284420 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, CSD18540Q5B, LM5176-Q1, LM5176, PMP21278
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/812337/lm5176-q1-gate-resistors-and-paralleling-fets

器件型号:LM5176-Q1
主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5ACSD18540Q5BLM5176PMP21278

我使用 CSD19534Q5A 和 CSD18540Q5B、按照 WEBENCH 的建议制作了一个原型、目前正在进行包含电源的更大设计。 我有两个与项目相关的问题:

1、原型在室温下可处理全设计功率(24V、9A)。 为了确保它能够在更高的环境温度(高达60C)下工作、我计划并联 FET。 假设所有其他条件都相等、栅极驱动器可以正常处理额外的 FET、这是否安全?

2.是否曾经建议和/或允许在 LM5176-Q1中使用小型(~10 Ω)栅极电阻器?

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    您好 Bart、

    感谢您在设计中考虑使用 LM5176。  

    查看 PMP21278 (http://www.ti.com/tool/PMP21278)、您会发现 FET 已并联、可处理高达25A 的电流。 在您处理9A 的应用中、我认为 FET 并联是可以的、栅极驱动器可以很好地处理 FET。  

    对于并联 FET、我认为最好尽可能减小栅极到栅极驱动器的阻抗。 我建议放置0欧姆电阻器、然后根据需要增大该值。 栅极电阻增大会降低开关性能。  

    谢谢、

    Richard