主题中讨论的其他器件： TPS23755、 PMP9175、 PMP7355、 UCC24610、 TPS23754EVM-420、 UCC24612
我有一个设计、我们目前在其中使用 具有板载 TPS23753A 的 PoE 模块。
此设计存在热问题、即使在相对较低的负载、10W 或更低的输出功率下也是如此。
我正在研究离开模块并在 电路板上实施我们自己的 TPS23753A 或 TPS23755电路的可能性、在该电路中可以控制某些组件。
虽然 TPS23755看起来是最容易实现的电路、但我主要担心内部 MOSFET 会限制解决功耗问题的能力或使其变得更糟。
目标是提供~10W 的输出功率。 最终输出应为5V、但隔离级之后的第二级直流/直流、降压或升压如果有利(减小反激式输出级中的电流？)、则可以接受
我还会注意到、我不是硬核 EE、我正在根据数据表和应用手册中的内容搜索分辨率。
使用 TPS23753A 的吸引力在于我们可以选择变压器、开关 FET 和输出二极管。
在 slva305c 之后、 就正向电流降而言、MBRS540T3似乎是我可以为输出整流器找到的最佳选择。
使用 BSZ900N15NS3GATMA1等超高性能 MOSFET 似乎可以降低开关损耗和电阻损耗。
但是、考虑到初级电流相对较低、首先选择器件可能更好、以最大程度地降低开关损耗和二极管压降？
TPS23755的内部 MOSFET 是否已针对所有3个参数进行了优化？
根据 在 slva305c 中计算的初级电流、RCS 的损耗似乎高达330mW。 但是、如果不使用非常昂贵的隔离放大器、您认为没有什么办法可以解决这个问题？ 该解决方案可能不在范围之内。
是否有任何 SPICE 仿真(或任何其他软件包... 可能是 MATLAB？ 数学方程式笔记本？) 可用于 TPS23755或 TPS23753A 的参考设计？
有些变压器具有非常低的绕组电阻和电感(例如、Moatel EP13)、需要完全重新计算电路、因此对仿真进行编码可能会有所帮助。
有关如何在~10W 范围内实施 PoE PD 和隔离式转换器的任何建议、如果尽力降低热影响、将非常有帮助。
