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[参考译文] UCC28C40:问题:MOSFET 损坏

Guru**** 2387080 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/808900/ucc28c40-issue-mosfet-damaged

器件型号:UCC28C40

您好的团队:

RD 反馈~当输出 EE 负载设置为最大负载6A 时 ,MOSFET (Q4)将损坏,RD 设置为0.5A 以捕捉 MOSFET 的 VDS (Ch1)& ID (Ch2)波形。

条件 如下所 示,原理图和波形如所示,谢谢。

VIN_MIN=13V 、Vin_max=24V

Vout=12V,Iout=6A

匝数比= 3:6

LP=800nH

请帮助确认   

MOSFET 损坏 问题

除了 输送器饱和之外、什么情况会导致 MOSFET (Q4)损坏?

非常感谢。

此致/ Mark

e2e.ti.com/.../3021.YIAPFJ1907T_2D002D002D002D00_--0531.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    根据您的第三个波形、最大漏极电压看起来是~75V。 这非常接近 CSD19502器件的80V 绝对最大额定值。 我希望在更高的负载下振铃也会更糟、这可能是 MOSFET 损坏的原因。 您可以尝试调整缓冲器以进一步抑制振铃、使用具有更高 VDS 额定值的 MOSFET 或尝试降低变压器的寄生泄漏电感。

    此致、

    本·洛夫