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[参考译文] BQ24104：BQ24104R EMI 问题

admin
Guru**** 2516930 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/787787/bq24104-bq24104r-emi-issue

器件型号：BQ24104

我的客户正在使用 BQ24104R 来测量70MHz 的 EMI (超出规格)，请帮助我们提供修改建议。

输入 5V 输出4.2V0.4A 的 PCB 电路、布局和测试报告如下。

e2e.ti.com/.../230HF_2D00_R2_2D00_5V1.5A.pdf

e2e.ti.com/.../115VF_2D00_R2_2D00_5V1.5A.pdf

e2e.ti.com/.../115HF_2D00_R2_2D00_5V1.5A.pdf

e2e.ti.com/.../TP2_48722C672800_PCB-LAYOUT_16572900_.pdf

e2e.ti.com/.../SCH_2D00_TP3.pdf

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    TI__Guru**** 2516930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hsu、

    将输入电容器放置在降压转换器的功率 FET 上对于实现低 EMI 至关重要。 修改 PCB 布局后、我看到去耦电容器(C107/118-120)位于距离 INx 引脚最远的位置、并具有很长的 GND 返回时间。 此外、到 INX 和 GND 的连接非常细。 我建议使用至少1个去耦电容器和 IC 和上的大容量电容器(从引脚1和20流出)来中继电路板。 这种放置方式将实现最小的电流环路。 此外、我建议在连接到 INx 和 GND 引脚时使用更宽的布线和/或覆铜或填铜。

    此致、
    Jeff