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您好、用户:
我没有设计电路。
对于休闲阅读器、附件中的问题涉及 tiduc43a、TIDA-01093、尤其是图7中的负载移除电路。
" TDELAY 是从负载被移除到下一时刻的时间
电压 VLOAD 再次变为低于0.5V 的电压,为什么会有延迟?
然后,MCU 可以检测到负载移除事件,是否将 LOAD_RM_DET 信号配置为下拉或下拉?
如果电池为16s、D21、D24、D28、D33稳压电压是否等于电池总电压? 如何选择?
D24、D28、D33能否用齐纳二极管代替它?
为什么 D21封装是 SMB、SMA 是对的?
感谢您的回复! "
移除负载和 VLOAD (Net load_RM_DET)变为低电平之间存在延迟、因为信号 FET Q15和 Q19的栅极上没有直接下拉。 它是流经齐纳二极管的泄漏电流、用于对栅极进行放电。
2."...load_RM_DET 信号是否配置为下拉或下拉?" 是的。 对于 PACK-上拉 Q15为导通状态、作为一个源跟随器上拉 VCC_B 附近的源 当 PACK-突然下降时、二极管的电容将使栅极向下推、Q19将变为低电平。 如果 PACK-缓慢下降、齐纳二极管的泄漏电流将下拉栅极并关闭 Q15、 LOAD_RM_DET 可能缓慢下降、时间可能较长、如表6所示。
2.3.第2.3节说明了电路的目的,作者希望在正常电压运行期间具有高阻抗,因此齐纳二极管通常不会完全导通。 如果电压增加到传导电流、则由8.2M 电阻器限制、以将电流保持在可接受的水平。 在较高电压下、D21可用齐纳二极管的步长可能较大、可以调整 D24、D28、D33的值、以使总电压保持在可接受的水平、同时不超过 Q19的栅极电压限制。 为您的设计选择值以保护栅极、同时使电流保持在可接受的元件容差水平。
4.是的、如果有合适的电压值、可以用单个齐纳二极管替代 D24、D28和 D33、但这会限制 Q19的栅极可推至低于 BAT-的数量。 根据 Q19的选择、您还可以使用背对背齐纳二极管、以允许负电压大于一个二极管 VF、但仍然移除组件。
D21是一种 SMB 二极管、因为它是设计时可用的封装。 在齐纳二极管的较高电压下、正常的测试电流可能会导致功率值较大且封装较大、从而满足合理的功率限制。 在该电路中、电流保持在较低水平、因此功耗较低、并且可以使用 SMA 或更小的封装(如果可用)。 请始终检查最终设计中的功率和元件额定值。