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[参考译文] SM72295:采用 SM72445的降压/升压设计

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: SM72445, SM72295
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/787141/sm72295-buck-boost-design-with-sm72445

器件型号:SM72295
主题中讨论的其他器件:SM72445

你好!

我正在使用 SM72445和 SM72295进行设计。
驱动器能否在高侧和低侧处理不同类型的 MOSFET? 我想优化低侧、主要是开关行为、并更加关注高侧 MOSFET 的 Rdson。 因此在我的设计中使用了不同的类型。 在执行此操作时、我是否必须考虑任何重要事项?

谢谢!
弗里德

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    您好、Frieder、

    感谢您关注适用于您的应用的 TI 栅极驱动器。 我可以帮助您解决有关 MOSFET 类型的一般问题、并为您提供 SM72295支持。

    SM72295具有3A 栅极驱动器功能、可支持低侧和高侧的不同 MOSFET。 可能需要考虑的问题是、如果高侧和低侧 MOSFET 具有不同的总栅极电荷 Qg、则两个不同 MOSFET 的 Vgs 上升和下降时间将有所不同。 不过、您可以调整两个 MOSFET 的栅极电阻以适应这种情况。 如果您在低侧和高侧转换中以较短的死区时间运行、则应考虑调整栅极电阻器以实现相似的开关时间。

    请告诉我们这是否能解决您的问题、或者您可以询问有关此主题的其他信息。

    此致、

    Richard Herring

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    您好 Richard、

    感谢您的快速回答。
    我在此背后的想法是、我在高侧使用具有低 Rdson 但开关行为较慢的 MOSFET、因为它们可以看到大部分电流。 在低侧、重点更多地放在快速开关上。 如果我增加季后赛、我就会失去这一优势。 为什么使用具有不同开关时间的 MOSFET 时会出现问题?

    此致、
    弗里德
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    您好、Frieder、

    感谢您的回答、我理解问题。 我想在应用中指出一些需要确认的东西。 如果您在高侧开关转换和低侧开关转换之间具有较短的死区时间编程、我建议您记住不同的 MOSFET 开关时间。 如果您有足够的死区时间、则这不会是问题。

    只需在应用中确认、低侧和高侧 MOSFET Vgs 信号存在死区时间、这是需要考虑的问题。 如果有死区时间、则不应担心。

    请确认这是否解决了问题、或者您始终可以在此主题上发布更多问题。

    此通信和任何相关通信中的所有信息均按“原样”和“不含任何瑕疵”提供,并受 TI 重要声明(http://www.ti.com/corp/docs/legal/important-notice.shtml)的约束。

    此致

    Richard Herring