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[参考译文] TPS2H160-Q1:为什么不使用'高侧开关具有#39;可调节输出压摆率(dVdt)控制和#39的特性;如电子保险丝。

Guru**** 673890 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25980, TPS2H160-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1172176/tps2h160-q1-why-don-t-the-high-side-switchs-have-the-feature-of-adjustable-output-slew-rate-dvdt-control-like-efuse

器件型号:TPS2H160-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS25980

大家好、 我最近一直在设计电源管理电路。  我学习了一些器件、如电子保险丝和高侧开关。 电子保险丝具有 "可调节输出压摆率(dVdt)控制"功能。因此、它们可轻松用于驱动容性负载。

 但高侧开关没有类似的功能。我阅读文章 如何驱动电阻、电感、电容和照明负载,、我发现 使用高侧开关驱动电容负载有太多限制。 电容需要如此小、环境温度需要足够低。 电子保险丝可以满足我的需求、但汽车应用的选择不多。

 因此、我想知道为什么高侧开关没有 像电子保险丝那样的"可调输出压摆率(dVdt)控制"功能。  是否有任何特殊的设计注意事项? 对于 汽车应用中的容性负载、您能否推荐一些解决方案?

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    尊敬的 Zhen:

    感谢您的评论。 是的、高侧开关没有可调压摆率是正确的、我们将在未来的产品开发中采用该反馈。

    但是、对于容性负载驱动、我们为高侧开关提供可调节电流限制。 根据所选的电流限制、转换率在电容充电情况下进行了基本调整、因为 I/C 是一个定义的值。  

    您是否认为高侧开关的可调节电流限制可以满足您的电容充电需求? 如果没有、您能详细说明一下吗?

    谢谢!

    此致、

    您好

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    您好、您好

      感谢您的回答。

      我们以 TPS2H160-Q1 和 TPS25980为例。 我关心的问题是浪涌电流、它在更低的上电周期发生。

       ,TPS25980 μ A、我们可以将输出电压的压摆率设置为一个较大的值、因此、浪涌电流可能非常低。  允许浪涌电流小于正常运行时的电流。 当然、更大的压摆率并不总是更好。 我们 应该注意的另一个问题是内部 MOSFET 的功耗。 我们应该选择压摆率、以在 MOSFET 的浪涌电流和功耗之间实现平衡。TI 提供 了电子保险丝计算器、使设计更简单。

      对于 TPS2H160-Q1、是的、它提供 可调节电流限制。 但电流限制必须高于正常 运行时的电流。 我们可以 将浪涌电流限制在可控的值、但无法降低内部 MOSFET 的分立。 当环境温度较高或浪涌电流持续较长时间时、TPS2H160-Q1将触发温度保护。 下面的文章介绍了一种解决问题的方法,但我认为这不是一种明智的方法。  

    www.ti.com/.../slva859b.pdf

     此致、

     振

      

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    尊敬的 Zhen:

    感谢您的反馈。 考虑到成本和设计因素、您的问题是一个有效的情况、但在高侧开关中未实施。 我们将在未来的器件中获取反馈并进行研究。 感谢您的观看!

    请告诉我们我们可以提供帮助的任何其他信息。

    此致、

    您好