[参考译文] BQ27Z561-R2：设置设计容量

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1171282/bq27z561-r2-set-design-capacity

器件型号：BQ27Z561-R2

我有一个定制板、通过 I2C 连接器件型号为 BQ27Z561-R2的电池电量计。我想将3.7V 锂离子电池的设计容量设置为2900mAh。我参考了 TI 的技术参考(SLUUC54B)文档、并尝试访问数据闪存以设置设计容量、但确实没有解决问题。

我尝试访问数据闪存的流程是：

0x3E + 0x00 + 0x40 + data1_LowByte + data1_HighByte = 0x3E + 0x66 + 0x46 + 0x54 + 0x0B、其中0xB54 (2900mAh)。

我能够读取诸如'DesignCapacity()'、RemainingCapacity()'、' FullChargeCapacity()'等寄存器数据，但默认值将出现，并且访问数据闪存不起作用。

请帮助我解决此问题。

提前感谢。

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 656470 points

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您好、Alfufiyan、

在写入数据闪存之前、确保监测计未密封且处于完全访问模式。首先从数据闪存中读取、然后写入数据闪存并从数据闪存中读回、以验证该值是否更改。寄存器可能不会立即更新。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 656470 points

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在数据表 13.8.53数据闪存访问() (0x4000–0x5FFF)部分中、未提及校验和写入数据闪存的准备工作。

写入 DF 示例：假设：Data1位于地址0x4000、data2位于地址0x4002。 data1和 data2都是 U2类型。要更新 data1和 data2、发送一个块写入、其中命令= 0x3E 块=起始地址+ DF 数据块= 0x00 + 0x40 + data1_LowByte + data1_HighByte + data2_LowByte + data2_HighByte。

在另一个地方、13.1.28 0x60 MACDataChecksum ()在那里、但是没有提到任何关于数据闪存的东西。

最后得到了更新数据闪存的工作流程、而不进行解封和密封、此时、guage 已处于完全访问模式。

写入>> 0x3E (AltManufacturerAccess)+ addr_LowByte + addr_HighByte + data1_LowByte + data1_HighByte = 0x3E + 0x66 + 0x46 + 0x54 + 0x0B、其中0xB54 (2900mAh)

写入>> 0x60 (Mac 数据校验和地址)+ 0xF4 (校验和)+ 0x06 (长度)

其中、

校验和= 0xFF -(命令中 MSB 和 LSB 的8位和+(命令长度)缓冲区中的字节)和0xFF

校验和 = 0xFF -(0x66 + 0x46 + 0x54 + 0x0B) 和0xFF = 0xF4

length = length 是校验和的一部分、在写入长度之前无法进行验证。校验和和和长度必须作为一个字一起写入才能有效。

为了更好地理解、请在数据表中更新校验和、以便写入到13.8.53数据闪存访问()(0x4000–0x5FFF)部分的数据闪存中。

谢谢、此致、

阿尔苏菲扬

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