[参考译文] TPS23754：TPS23754PWP EMI/RE 噪声问题

您好、达尔文、感谢您的支持

到目前为止、我们已经做了一些更改。

我们已将 R201的价值提高到72E、并提出以下观察结果

•  在低负载下(以 mA 为单位的功耗)-噪声水平相对较低
• 在12V@1A 时、输出侧的噪声水平会增加。

我们还尝试在 MOSFET C=330pf、R=10E &C515、C516、C517、C518=1000pF 之间添加缓冲器。 但仍会在输出端和靠近 MOSFET 处产生噪声。  

请建议我们可以采取哪些措施来降低噪声。  

附件是供您参考的屏幕截图。  

尊敬的 Ravi：

我不确定 FET 和输出附近的噪声是什么意思。 是的、开关元件会辐射噪声；但是、从标准角度来看、辐射噪声是以太网电缆在连接时的辐射。 其理念是终端设备本身不会辐射、因为大多数终端产品都具有屏蔽外壳或屏蔽涂层。 无论最终产品中的任何噪声辐射到 RJ45输入端、该噪声都会从以太网电缆发出。 您的最终产品是否在测试期间封装、以及外壳是否被屏蔽？  

你好，达尔文

是的、在测试过程中会封装产品。 我们得到了我们的 RE 和 CE 的结果、结果更糟。 请参阅随附的文件。 请建议我们如何访问 approvee2e.ti.com/.../0730_2D00_ISN.pdfe2e.ti.com/.../0729_2D00_RE.pdf

尊敬的 Ravi：

如果您也遇到 CE 故障、您可以尝试添加与铁氧体磁珠串联的共模扼流圈。 您还可以尝试取消组装 C702和 R705以消除共模电流。

否则、我们必须查看布局、因为这会导致 EMI 问题。

你好，达尔文

我们还尝试 添加串联的共模扼流圈、并移除 C702和 R705。 但结果仍然相同

尊敬的 Ravi：

这是非常令人惊讶的。 要么布局绕过共模扼流圈、要么电路板上缺少组件、但原理图上没有组件(尽管我只有 PoE 原理图和完整电路板原理图)。 您能否转发此内容？ 如果不是组件、则必须进行布局或可能的设置。 您还能发送测量方式吗？

Ravi、自此主题上有活动以来已经有一个多星期了。

您是否仍需要我们的帮助？

谢谢、