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[参考译文] TPS23754EVM-383：我尝试将 tps23754evm-383更改为5.5V /3A、但它未出现#39；t 工作；我想知道如何在原理图。中计算 R421

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV431, TPS23754
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/850283/tps23754evm-383-i-tried-changing-the-tps23754evm-383-to-5-5v-3a-but-it-didn-t-work-i-want-to-know-how-r421-is-calculated-in-the-schematic-diagram

器件型号：TPS23754EVM-383
主题中讨论的其他器件：TLV431、 TPS23754

e2e.ti.com/.../MYPOE.pdf

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    您能否进一步解释一下新设计如何不起作用？
    此外、您能否提供原理图、还是唯一更改了变压器？

    最后、图中没有 R421、您能否指定有问题的电阻器？

    谢谢！


    此致、

    Michael Pahl  

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    e2e.ti.com/.../5734.MYPOE.pdf

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    感谢您提供原理图。 现在我看到你第一次附加它、我错过了它。  

    对于 R421、它是光耦合器的偏置电阻器。 该电阻器的计算公式为：

    其中、Rob 是我们要计算的电阻器。 这摘自您参考 的应用手册：http://www.ti.com/lit/an/slva305c/slva305c.pdf

    原理图中似乎有一些公式引用了上述公式中的一些值。  

    此致、

    Michael Pahl  

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    我不理解150mV 的数据来自什么；

    Vref =1.24V；
    VLED=1.1V；

    ILEed = 2mA；

    计算出的 Rob 为1.255K；

    那么、我可以将 Rob 设为1.2K 吗？

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    该公式试图计算电阻器上的压降。 150mV 来自 TLV431数据表、以考虑流经底部偏置电阻器的电流产生的电压。  

    我会将其计入您的公式中。

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    我尝试了1.2k、它工作，VOUT=4.95V；我将尝试更多的测试。

    但我无法从  TLV431 数据表中找到150mV；这是计算得出的吗？它的工作原理是什么？

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    150mV 被添加到边际误差的等式中。 以下帖子详细讨论了此主题：

    https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/323424?TPS23753A-Question-about-SLVA305C

    如果您希望设计中有更多裕量、可以忽略或更改它。 由于您的设计正常、我确认您可以忽略它。  

    此致、

    Michael Pahl

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    感谢你的答复

    我想我应该很好地了解电路的这一部分

    现在、电路已准备好工作。 我测试了2A 的负载、没有问题；

    现在的问题是、我的工作电路需要很少的电流。 在正常条件下、5.5V/1A 可满足运行条件。最大电流测试不会超过2A；在正常情况下、工作电流约为500mA；因此、此电路的电流效率非常低、并且正常情况下的工作电流不会达到满负载的1/4。

    也许我应该回到电路计划。您能给我一些建议吗？POE 需要支持 IEEE 802.3af/at

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    如果您看看采用 TPS23754的 TI EVM 的效率、您会发现效率在较低的负载电流下下降。 这就是这些设计的本质。  

    您可以做的一些事情是找到具有较低 Rdson 的 FET。 这是功率损耗的一个主要方面。 另一个是变压器、如果您可以找到更高效的变压器。 此外、缓冲电路会导致功率损耗。 在大多数设计中、防止过冲是必要的、但该电路需要进行优化。  

    将来、由于这是一个不同的问题、我希望您创建一个新帖子、以便我们将线程限制为一个问题。 谢谢！

    此致、

    Michael Pahl