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[参考译文] TPS24700：原理图审阅

admin
Guru**** 1869600 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS24700, CSD19533Q5A, CSD16415Q5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/781395/tps24700-schematic-review

器件型号：TPS24700
主题中讨论的其他器件： CSD19533Q5A、 CSD16415Q5

尊敬的团队：

您能为原理图审阅提供帮助吗？

我已经检查过它、但我可能需要您的双确认。

已连接 MOS 和 Excel 工具

e2e.ti.com/.../EDM000011097800.pdf

e2e.ti.com/.../8358.TPS2470x_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Rev_2D00_.xlsx

BR

Kevin

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    BTW、唯一的信息工程师拥有的是 Vin=12V、Vin=8.3A
    他们只想使用该电路实现使能功能。
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    尊敬的 Kevin：

    我将对此进行回顾、并在明天返回给您。
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    尊敬的 Kevin：

    原理图中有一些基本错误、

    • MOSFET 的源极连接到感应电阻器、MOSFET 的漏极连接到输出电容器。 这将使体二极管在存在 Vin 且禁用控制器时导通。 必须互换漏极和源极连接。
    • 使用的感应电阻器似乎为0402和1/16W。 感应电阻器的额定功率必须至少为感应电阻器中计算出的功率损耗的150%。  

    此外、计算器似乎没有加载正确的值、

    • 原理图中的输出电容为470uF、但计算器仅显示68uF
    • 原理图和计算器中的 FET 是不同的。

    请按照 规格和原理图的匹配、使用正确的加载值共享计算器。  

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    尊敬的 Praveen：

    我将要求客户尽快提供新原理图。

    e2e.ti.com/.../pony.xlsx

    这是我输入的新 Excel 工具、抱歉我没有先检查客户 Excel 工具。

    我是否可以知道有关如何设计的一些参数？

    Iramp 选择输出电容器充电电流(<Plim/Vccmax))
    RLOAD-启动 启动时存在电阻负载(必须大于 RMIN-START)

    Cgate 用于 dV/dT 控制的栅极电容

    我是否应该要求客户为 Cgate 放置占位盖？

    SOA_MRG SOA 裕度 -14.8.

    它提到负 SOA 裕度、它是否可以接受？

    BR

    Kevin

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    尊敬的 Kevin：

    由于这是一个12V 应用、因此您可以要求客户考虑使用 低电压(30V) FET 来获得更好的 Rdson。  

    请查看我在下面关于设计计算器的答复、

    • Iramp：这是您要为输出电容器充电的电流。  这将决定特定输出电容的输出电压 dV/dT。
    • RLOAD-START：这是有效负载、可在启动期间建模为电阻器。  通常、我们建议在启动期间无负载、因为它会缩短启动时间并减少启动期间 FET 上的应力。
    • Cgate：这是放置在基于 dV/dT 的启动 FET 栅极上的外部电容。 该值可以是最接近'Cgatec'的值(即设计计算器中 Cgate 上方的单元格)。 客户最好为 Cgate 放置一个占位符。  
    • 要求具有至少20%的 SOA 裕度。 但我们建议 SOA 裕度大于30%。  如果 SOA 裕度不大于20%、请尝试选择具有更好 SOA、更少栅极电荷(FET 栅极电荷达到 Vgs > VTA (单个 FET))的 FET。  

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    尊敬的 Praveen：

    感谢您提供相关信息。

    您建议在栅极引脚和电阻器之间放置多少电容？

    我觉得现在的电路还可以、还有其他建议吗？

    BR

    Kevin

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    尊敬的 Parveen：

    在原理图中添加热插拔的目的是使开放式框架 PSU 具有 PG 信号(方框图如下所示)、然后请帮助我们了解是否需要调整我们的原理图。

    BR

    Kevin

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    尊敬的 Kevin：

    请发送最终原理图和设计计算器进行审核。 如果没有设计计算器、则无法验证原理图、因为我们需要检查 FET 是否支持设计规格。
    在您的系统中，您是否打算使用 TPS24700的 PG 信号来控制下游负载？ 很抱歉、我没有从方框图中了解如何在热插拔之前生成 PG 信号。
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    TI__Guru**** 1869600 points
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    尊敬的 Parveen：

    请查看 Excel 文件和 SCH。

    因为热插拔 输入来自具有软启动 功能的电源。  

    因此、MOSFET SOA 不是那么重要、对吧？

    我认为方框图 应该在热插拔后移动电源正常状态、 这在这里更有意义

    e2e.ti.com/.../Hotswap-SCH.pdf

    e2e.ti.com/.../0523.pony.xlsx

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    尊敬的 Kevin：

    请查看我的以下评论、

    •  您共享的原理图和设计计算器仍具有不同的 FET。 原理图显示 了 CSD19533Q5A、但设计计算器具有 DMT34M1LPS。 DMT34M1LPS 的 SOA 还不够好。 这就是您在设计计算器中将 SOA 视为"失败"的原因。 因此、不建议在 DMT34M1LPS 上使用此设计。
    • 我已更新设计计算器并随附 CSD16415Q5。 您可以看到 、使用 CSD16415Q5时、SOA 裕度为74%。 您可以考虑使用此 FET。
    • 还应使用具有更高额定功率的感应电阻器。  确保感应电阻器的额定功率至少有50%的裕度。
    • 我们建议在 热插拔输入端使用 TVS、以便在  FET 关断期间钳制电感反冲电压。
    • 根据设计 Calculatore2e.ti.com/.../Praveen-Edited.xlsx 更改计时器