主题中讨论的其他器件:AM5706、 TPS51200
我想使用两个 TPS65261级联来为 AM5706供电。 VDDSHV_1到 VDDSHV_11 都是3.3V。我要实现的上电序列是 VDDS_1V8 --- VDA_PLL_1V8---VDD_DDR_1V35 ---- VDD_CORE_AVS---- VDD_DSP_AVS---VDA_PHY_1V8 -- VIO_3V3。附件是我绘制的电源电路。 这是否有问题、为什么?e2e.ti.com/.../1460.power.pdf
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我想使用两个 TPS65261级联来为 AM5706供电。 VDDSHV_1到 VDDSHV_11 都是3.3V。我要实现的上电序列是 VDDS_1V8 --- VDA_PLL_1V8---VDD_DDR_1V35 ---- VDD_CORE_AVS---- VDD_DSP_AVS---VDA_PHY_1V8 -- VIO_3V3。附件是我绘制的电源电路。 这是否有问题、为什么?e2e.ti.com/.../1460.power.pdf
你(们)好,先生
一些意见:
1.对于 U2和 U55、建议将输入电容(C2和 C576)更改为22uF MLCC、之后 、在布局中将22uF + 0.1uF 输入电容靠近 PVIN2/3引脚放置、在布局中将10uF + 0.1uF 输入电容靠近 PVIN1和 VIN 引脚放置。
2.对于 U2的 BUCK1、分压器电阻错误、如果其输出为1.8V、则将 R10更改为10kohm。
其他看起来不错。
,μ s 在 U55中、PGOOD1只能控制 EN1以实现序列 VDD_CORE_AVS、然后 VDD_DSP_AVS、然后 VDA_PHY_1V8、或者不能控制、PGOOD1 必须控制 EN1、EN2和 EN3。
第二个,关于 DDR1_vref0。 我使用 VIO_3V3生成 DDR1_vref0、如下图所示、因为 VIO_3V3是 AM5706的最后一个电源、所以我认为 VDDR_VREFSTL(DDR1_vref0) 太晚了、不是 VDDS_DDR1? )我怀疑(__LW_AT__DDR1_vref0可能会在 PORz 之后出现。 我的想法是正确的吗? 有关此 DDR1_vref0电源的建议是否正确?
你(们)好,先生
其他意见:
对于 U2、EN1/2/3引脚具有内部上拉电流、因此它们 可以悬空、这意味着 R455、R453、R451、R456、 可以移除 R454、R452、C584、C585、C586。
,μ s 在 U55中、PGOOD1只能控制 EN1以实现序列 VDD_CORE_AVS、然后 VDD_DSP_AVS、然后 VDA_PHY_1V8、或者不能控制、PGOOD1 必须控制 EN1、EN2和 EN3。
[Zhao]实际上 、PGOOD1仅 控制 EN3将实现您的序列、EN1/2引脚也可以悬空、R457、R458、R459、R460、 可以移除 C588、C589。 请参见下图。
第二个,关于 DDR1_vref0。 我使用 VIO_3V3生成 DDR1_vref0、如下图所示、因为 VIO_3V3是 AM5706的最后一个电源、所以我认为 VDDR_VREFSTL(DDR1_vref0) 太晚了、不是 VDDS_DDR1? )我怀疑(__LW_AT__DDR1_vref0可能会在 PORz 之后出现。 我的想法是正确的吗? 有关此 DDR1_vref0电源的建议是否正确?
[赵]
VDDS_DDR1何时准备就绪?
PORz 的含义是什么?
你(们)好,先生
我检查了 U21的数据表、它看起来有300mSec 的延迟、所以我认为 DDR1_vref0不会在 PORz 之后。
2. 从 VDD_DDR_1V35到 VIO_3V3的估计延迟时间 为~7mSec。 我检查了 U35、从 EN 到 DDR1_vref0似乎没有延迟。
是否可以在申请中接受?
但 对于 TPS51200、我不确定 是否允许 VIO_3V3位于 VDD_DDR_1V35之后。
顺便说一下、我不负责 TPS51200、请给我发送邮件、我会将您的问题转交给相关工程师。