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[参考译文] TLV758P:VDO 低于 Vout=4.8V、输出电流为100mA

Guru**** 2392505 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV758P, TPS3808

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/782083/tlv758p-vdo-under-vout-4-8v-with-100ma-output

器件型号:TLV758P
主题中讨论的其他器件: TPS3808

大家好、

我的客户正在评估我们的 TLV758P。 目标输出为4.8V。 但最小输入可降至4.75V、以便他们检查4.75V 输入和4.8V 目标输出下的 Vdo。 负载电流为100mA 或500mA。

我已查看我们的数据表、在此用例中、具有500mA Iout 的最大 Vdo 为115mV。 但是、我只想与您联系、看看我们是否有100mA 输出电流条件下的 Vdo 数据。

我认为它应该被计算为115mV/500mA*100mA=23mV。 但我很好奇、如果它只是 Vdo 和 Iout 之间的线性关系、那么为什么 Vdo 也与 TLV758P 数据表中的不同 Vout 范围相关? 谢谢。

此致、

韦恩

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wayne、

    虽然您的方法对于许多线性稳压器而言是正确的、但务必确保始终使用数据表的当前版本。  当我们将 TLV758P 发布至标记时、压降的最大值略有增加、达到130mV。

    正确的是、压降通常与 Iout 呈线性关系;但是、从数据表中的图6可以看出、100mA 时的压降接近40mV。

    如前所述、输出电压与压降之间也存在关系。  《LDO 基础知识》电子书的第1章简要讨论了影响压降的变量。

    www.ti.com/.../slyy151.pdf

    对于具有 PMOS 导通 FET 的线性稳压器、随着输入/输出电压的增加、最小余量(Vin - Vout)或调节所需的压降将减少。  这是因为 LDO 在 Vin 和栅极电压之间具有较大的增量、从而使 FET 的阻性更小。

    www.ti.com/.../sbvy001.pdf

    非常尊重、

    Ryan

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    您好、Ryan、

    感谢您的详细解释。 这很有帮助。

    客户对 TLV758P 还有另一项要求。 它们要求输出必须在 Vin 上电后延迟200ms。 我想在 Vin 和 GND 之间添加一个 RC 系列、并将 EN 引脚连接到 RC 的中点。 但我不确定 RC 值是否会实现200ms 的延迟。 此外、Ven (hi)仅为1V、这非常低。 那么、您认为这种方法是可以的、您对 RC 值有什么建议吗?  谢谢。

    此致、

    韦恩

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    您好、Wayne、

    虽然 EN 上的 RC 延迟是延迟 LDO 输出的一种方法、但必须注意的是、使能阈值将介于最小 Ven (hi)和最大 Ven (lo)之间、如图15所示。

    如果精确计时很重要、更可靠的解决 方案是使用电压监控器。  这将实现更准确的计时、因为监控器的输出将在 Vin 超过所需阈值后200ms 在 EN 上提供从低电平到高电平的急剧转换。

    非常尊重、

    Ryan

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    您好、Ryan、

    感谢你的帮助。 我已升级 TPS3808以实现精确的延时时间。

    顺便说一下、客户希望根据 软件'Flotherm XT'进行热仿真。 因此、您只需检查我们是否具有'Flotherm XT'的 TLV758P 仿真模型。 谢谢。

    此致、

    韦恩

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    您好、Wayne、

    由于我们需要客户提供的信息类型、我们不会在公共论坛上处理这些类型的请求。 我将通过私人信息与您联系、以便进一步讨论。

    非常尊重、
    Ryan